本發明有關于一種半導體結構及其制造方法。
背景技術：
1、近幾十年來，隨著電子產品的不斷改進，對存儲容量的需求也不斷增加。為了增加存儲裝置(例如，dram裝置)的存儲容量，在存儲裝置中整合了更多的存儲單元。隨著整合度的提高，半導體結構可能會造成漏電問題。
技術實現思路
1、根據本發明的一態樣，提供一種半導體結構的制造方法。方法包括以下步驟。提供基板，其中單元電容器嵌入在基板中。在基板上形成下部介電層和犧牲層。移除犧牲層的一部分以形成第一溝槽。形成導電層和上部介電層以填滿第一溝槽。移除上部介電層的一部分以形成第二溝槽。移除導電層的一部分以將導電層定義為字元線結構并加深第二溝槽。形成氧化層以填滿第二溝槽。移除犧牲層和下部介電層的一部分以形成第三溝槽，并暴露出單元電容器的頂表面。形成通道層以填滿第三溝槽，使得通道層和單元電容器直接接觸。
2、根據本發明的一些實施例，在移除犧牲層的一部分之后，犧牲層的第一寬度與單元電容器的第二寬度相同。
3、根據本發明的一些實施例，方法進一步包括，在形成導電層和上部介電層之前，在犧牲層上共形地形成犧牲間隔物。
4、根據本發明的一些實施例，方法進一步包括，在犧牲間隔物上共形地形成阻擋物。
5、根據本發明的一些實施例，方法進一步包括，在形成導電層和上部介電層之后，進行化學機械拋光工藝。
6、根據本發明的一些實施例，方法進一步包括，在形成導電層和上部介電層之后，在上部介電層上形成硬遮罩層，并在硬遮罩層上形成光阻層。
7、根據本發明的一些實施例，方法進一步包括，圖案化光阻層和硬遮罩層，以在移除上部介電層時使用光阻層和硬遮罩層作為遮罩。
8、根據本發明的一些實施例，方法進一步包括，在移除導電層的一部分之前，在第二溝槽的側壁上形成間隔物。
9、根據本發明的一些實施例，其中在形成間隔物之前移除光阻層和硬遮罩層。
10、根據本發明的一些實施例，其中該通道層包括氧化銦鎵鋅(igzo)。
11、根據本發明的一態樣，提供一種半導體結構。半導體結構包括基板、單元電容器、下部介電層、通道層、字元線結構、阻擋層、上部介電層、間隔物。單元電容器嵌入在基板中。下部介電層位于基板上。通道層位于單元電容器上，其中通道層與單元電容器直接接觸，且通道層包括氧化銦鎵鋅(igzo)。字元線結構環繞通道層，其中字元線結構的頂面低于通道層的頂面。阻擋層位于通道層與字元線結構之間。上部介電層位于字元線結構上，其中上部介電層的頂面與通道層的頂面共平面。間隔物位于上部介電層的側壁上。
12、根據本發明的一些實施例，半導體結構進一步包括位于通道層上的接合墊。
13、根據本發明的一些實施例，接合墊包括位于通道層上的氧化銦錫層與位于氧化銦錫層上的鎢層。
14、根據本發明的一些實施例，其中通道層的第一寬度與單元電容器的第二寬度相同。
15、根據本發明的一些實施例，半導體結構進一步包括位于通道層的側壁上的氧化間隔物。
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在移除該犧牲層的一部分之后，該犧牲層的第一寬度與該單元電容器的第二寬度相同。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，進一步包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，進一步包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，進一步包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在形成該間隔物之前移除該光阻層和該硬遮罩層。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該通道層包括氧化銦鎵鋅。
11.一種半導體結構，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，進一步包括：
13.根據權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，該接合墊包括：
14.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，該通道層的第一寬度和該單元電容器的第二寬度相同。
15.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，進一步包括：