1.一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)傳感器的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，該制備工藝采用整片晶圓片加工若干個傳感器，制備完成后進(jìn)行切割，分兩次進(jìn)行切割，第一次切割時(shí)，不能切斷，只需切斷部分封裝玻璃至電極位即可，第二次切割時(shí)，全部切斷，從橫向與縱向的兩個方向進(jìn)行切割，切割后，形成若干個傳感器，且位于電極位上方的封裝玻璃掉落。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟1中，將soi硅片放在1000℃或高于1000℃的氧化爐中進(jìn)行氧化，以使厚硅層表面形成第一氧化層、薄硅層表面形成第二氧化層，其中第一氧化層、第二氧化層的厚度為500-1000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟2中，包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟3中，包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟4中，超靜環(huán)境中將襯底玻璃對準(zhǔn)soi硅片上的感應(yīng)腔，并使薄硅層的面與襯底玻璃的面接觸在一起，然后在加熱溫度350℃~600℃、加靜電電壓600~1200伏的環(huán)境下進(jìn)行鍵合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟5中，配制tmah溶液與過硫酸銨的混合液，并將混合液加熱至90℃；將步驟4中鍵合后的樣品放入混合液中做深硅刻蝕，將深刻蝕區(qū)域與電極區(qū)域內(nèi)的厚硅層深刻蝕至硅片氧化層表面，以分別形成電容腔以及電極位；所述tmah溶液與過硫酸銨的配比為100:2.5。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟6中，包括以下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器的制備工藝，其特征在于，所述步驟7中，盲孔位于感應(yīng)腔以內(nèi)且位于電容腔外側(cè)，盲孔的數(shù)量大于等于一，盲孔采用激光記性打孔；
10.一種硅-玻璃結(jié)構(gòu)的傳感器，其特征在于，包括：