本技術涉及真空封裝領域，特別是涉及一種真空封裝結構體及其封裝方法。
背景技術：
1、真空封裝在半導體器件制造中一個重要的環節，為封裝結構體中的mems（microelectro?mechanical?systems，微機電系統）結構提供真空環境。
2、在封裝過程中，基板與封裝蓋帽之間形成有犧牲層，在封裝蓋帽上開設小孔，并通過小孔將犧牲層釋放掉，然后再將小孔密封。封裝蓋帽上小孔的尺寸關系到犧牲層的釋放效率、犧牲層的釋放殘留的問題。當小孔的尺寸比較小，會導致犧牲層的釋放效率很低，并且易存在難以去除的釋放殘留，當小孔的尺寸比較大時，雖然可以提升犧牲層的釋放效率，但是在制作密封層時，沉積的鍍膜顆粒會更容易影響密封良率，導致漏氣的問題。
3、因此，如何解決上述技術問題應是本領域技術人員重點關注的。
技術實現思路
1、本技術的目的是提供一種真空封裝結構體及其封裝方法，以提升犧牲層的釋放效率、減少釋放殘留，并提升密封良率。
2、為解決上述技術問題，本技術提供一種真空封裝結構體，包括：
3、基板、第一封裝帽層、第二封裝帽層、mems結構和密封層，所述第一封裝帽層設有第一開孔，所述第二封裝帽層設有第二開孔；所述第二開孔的尺寸小于所述第一開孔的尺寸；
4、所述第一封裝帽層與所述基板連接，并與所述基板形成第一腔體；所述mems結構位于所述第一腔體中；
5、所述第二封裝帽層與所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面連接，并與所述第一封裝帽層形成第二腔體；所述第二腔體和所述第一腔體通過所述第一開孔連通；
6、所述密封層位于所述第二封裝帽層的表面，并對所述第二開孔密封。
7、可選地，所述第一開孔的數量至少為一個，與每個所述第一開孔連通的所述第二開孔在所述基板上的投影與該所述第一開孔在所述基板上的投影相互錯開。
8、可選地，與每個所述第一開孔連通的所述第二開孔的數量至少為兩個，所述第二開孔在所述基板上的投影圍繞在所述第一開孔在所述基板上的投影的周圍。
9、可選地，還包括：
10、支撐結構，位于所述第一腔體內，并在所述第一封裝帽層和所述基板之間，用于支撐所述第一封裝帽層。
11、可選地，所述支撐結構包括支撐柱和支撐臺面，所述支撐柱位于所述基板的表面，所述支撐臺面位于所述支撐柱遠離所述基板的表面；
12、所述第一封裝帽層對應所述支撐臺面的區域向所述第一腔體內凹陷，所述第一封裝帽層的凹陷區域與所述支撐臺面接觸；
13、所述第一封裝帽層的凹陷區域至少對應除了位于真空封裝結構體兩側的所述支撐結構的所述支撐臺面。
14、可選地，所述第一開孔在所述基板上的投影位于任意相鄰兩個所述支撐結構在所述基板上的投影之間。
15、可選地，還包括：
16、吸氣劑層，位于所述第一腔體內并在所述基板的表面。
17、可選地，所述第一封裝帽層和所述第二封裝帽層的材料相同。
18、可選地，所述第二封裝帽層的數量與所述第一開孔的數量相等，一個所述第一開孔在所述基板上的投影位于一個所述第二封裝帽層在所述基板上的投影的范圍內。
19、本技術還提供一種真空封裝結構體的封裝方法，包括：
20、在基板的表面形成第一犧牲層；
21、在所述第一犧牲層的表面制作mems結構；
22、在分布有所述mems結構的所述第一犧牲層的表面形成第二犧牲層；
23、刻蝕位于所述基板邊緣區域的所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，并制作第一封裝帽層；所述第一封裝帽層將所述第一犧牲層和所述第二犧牲層包裹并與所述基板連接；
24、刻蝕所述第一封裝帽層，形成第一開孔；
25、通過所述第一開孔釋放所述第一犧牲層和第二犧牲層，形成第一腔體；
26、在所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面制作第三犧牲層；
27、在所述第三犧牲層的表面制作第二封裝帽層；所述第二封裝帽層將所述第三犧牲層包裹并與所述第一封裝帽層連接；
28、刻蝕所述第二封裝帽層，形成第二開孔；所述第二開孔的尺寸小于所述第一開孔；
29、通過所述第二開孔釋放所述第三犧牲層，形成第二腔體；所述第二腔體和所述第一腔體通過所述第一開孔連通；
30、在所述第二封裝帽層的表面制作密封層，所述密封層將所述第二開孔密封。
31、可選地，在基板的表面形成第一犧牲層之后，還包括：
32、刻蝕所述第一犧牲層，形成第一通孔；
33、在所述第一通孔處制作支撐結構，所述支撐結構位于所述基板的表面，用于支撐所述第一封裝帽層；
34、在分布有所述mems結構的所述第一犧牲層的表面形成第二犧牲層之后，還包括：
35、刻蝕所述第二犧牲層，形成第二通孔，以露出所述支撐結構。
36、可選地，在基板的表面形成第一犧牲層之前，還包括：
37、在所述基板的表面制作吸氣劑層。
38、可選地，在所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面制作第三犧牲層之后，還包括：
39、刻蝕所述第三犧牲層，形成圖形化的至少兩個第三犧牲層；一個所述第一開孔在所述基板上的投影位于一個所述第三犧牲層在所述基板上的投影的范圍內；
40、在所述第三犧牲層的表面制作第二封裝帽層包括：
41、在圖形化的所述第三犧牲層的表面同時制作第二封裝帽層；一個所述第一開孔在所述基板上的投影位于一個所述第二封裝帽層在所述基板上的投影的范圍內。
42、本技術所提供的一種真空封裝結構體，包括：基板、第一封裝帽層、第二封裝帽層、mems結構和密封層，所述第一封裝帽層設有第一開孔，所述第二封裝帽層設有第二開孔；所述第二開孔的尺寸小于所述第一開孔的尺寸；所述第一封裝帽層與所述基板連接，并與所述基板形成第一腔體；所述mems結構位于所述第一腔體中；所述第二封裝帽層與所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面連接，并與所述第一封裝帽層形成第二腔體；所述第二腔體和所述第一腔體通過所述第一開孔連通；所述密封層位于所述第二封裝帽層的表面，并對所述第二開孔密封。
43、可見，本技術中的真空封裝結構體中，第一封裝帽層與基板形成容納mems結構的第一腔體，第一封裝帽層上設有第一開孔，第一開孔的尺寸比較大，可以提升第一腔體所在空間內的犧牲層的釋放效率和釋放效果，減少第一腔體內犧牲層的釋放殘留，進而減少釋放殘留對真空封裝結構體真空度以及mems結構熱導與熱容均一性的不利影響，提高真空封裝結構體性能。在第一封裝帽層上設置有第二封裝帽層，第二封裝帽層上設置有第二開孔，密封層通過對第二開孔密封實現對真空封裝結構體的密封，由于第二開孔的尺寸較小，所以可以減少制作密封層時密封材料顆粒缺陷對密封良率的影響，進而提升真空封裝結構體的密封良率，減少漏氣的問題。所以，本技術中的真空封裝結構體不僅可以提升犧牲層的釋放效率和改善釋放效果，而且還可以提升密封良率，改善漏氣的問題。
44、此外，本技術還提供一種具有上述優點的封裝方法。