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      低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料及其制備方法

      文檔序號:42326727發(fā)布日期:2025-07-01 19:45閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料,其特征在于,由高導(dǎo)mnzn鐵氧體和聚硅氮烷樹脂包覆磷化后的fesicr得到,具有多層核殼結(jié)構(gòu),其中內(nèi)核為fesicr顆粒,中間層為磷化層,高導(dǎo)mnzn鐵氧體和聚硅氮烷樹脂形成的包覆改性材料包覆在磷化fesicr顆粒表面形成外殼。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料,其特征在于,所述fesicr顆粒中,si占4.0~6.0wt%,cr占4.0~6.0wt%,其余為fe;所述高導(dǎo)mnzn鐵氧體包括主配方和添加劑,主配方和添加劑的質(zhì)量比為19:1,主配方為mn0.6zn0.4fe2o4,以主配方的質(zhì)量作為基準(zhǔn),添加劑包括0.01wt.%caco3、0.02wt.%tio2和0.01wt.%bio3。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料,其特征在于,所述fesicr顆粒的粒徑為5~10μm,高導(dǎo)mnzn鐵氧體的粒徑為0.01~0.5μm,起始磁導(dǎo)率為6000~12000。

      4.一種低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟1中,磷化液為磷酸的丙酮溶液,磷化液中磷酸的含量為0.1~1.0wt%,每1g的fesicr顆粒對應(yīng)加入0.2~0.4ml的磷化液;磷化處理的溫度為40~80℃,磷化處理時間為0.25~1.0h。

      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟1中,清洗殘留的磷酸采用丙酮;干燥的溫度為40~70℃,時間為1.0~3.0h。

      7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟2中,以磷化后的fesicr顆粒的質(zhì)量作為基準(zhǔn),聚硅氮烷樹脂的用量為1.0~4.0wt%,丙酮的用量為20~50wt%,高導(dǎo)mnzn鐵氧體的用量為0.1~5.0wt%,kh550硅烷偶聯(lián)劑的用量為0.05~0.20wt%;干燥溫度為40~70℃,時間為1.0~3.0h。

      8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟3中,過篩20~200目;干燥溫度為40~70℃,干燥時間為1.0~3.0h。

      9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟4壓制的過程為:將步驟3干燥后的磁粉與潤滑劑混合均勻后,壓制成磁環(huán),得到磁粉心坯件;其中,潤滑劑為硬脂酸鋁、硬脂酸鹽、二硫化鉬或六方氮化硼中的一種,潤滑劑的用量為干燥后的磁粉質(zhì)量的0.01~0.50wt%,壓制成型的壓強(qiáng)為1000~3000mpa。

      10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟5中,退火處理在真空或保護(hù)氣氛條件下進(jìn)行,退火溫度為400~600℃,保溫時間為0.5~2h。


      技術(shù)總結(jié)
      一種低損耗高磁導(dǎo)率高機(jī)械強(qiáng)度軟磁復(fù)合材料及其制備方法,屬于軟磁復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用磷酸磷化FeSiCr顆粒表面,增強(qiáng)了抗氧化性和化學(xué)穩(wěn)定性,然后包覆高導(dǎo)MnZn鐵氧體顆粒和聚硅氮烷樹脂組成的改性材料,形成多層核殼結(jié)構(gòu),提升FeSiCr磁粉心的磁導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度,降低損耗。滿足電感器、高頻變壓器、儲能元件以及電磁屏蔽等領(lǐng)域高頻集成化和高可靠性需求。

      技術(shù)研發(fā)人員:鄔傳健,成思危,余忠,孫科,李啟帆,王宏,蔣曉娜,蘭中文
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:電子科技大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2025/6/30
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