本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
1、公開了如下技術(shù)：在半導(dǎo)體激光元件、半導(dǎo)體光放大器等具有活性層的光半導(dǎo)體裝置中，在n型包層設(shè)置折射率較高的層，使在活性層傳播的激光的電場的分布偏向n型包層側(cè)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)p型包層中的價(jià)電子帶間光吸收的抑制、扭折級別的提高以及垂直方向上的遠(yuǎn)場圖案的調(diào)整（專利文獻(xiàn)1~6）。這樣的折射率較高的層也被稱為電場分布調(diào)整層。
2、對于這樣的電場分布調(diào)整層而言，與設(shè)為層厚較厚的單層構(gòu)造相比，設(shè)為將多個(gè)層與折射率較低的層交替地周期性層疊的層疊構(gòu)造的一方能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷較少的結(jié)晶成長，因此是優(yōu)選的。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-174394號公報(bào)
6、專利文獻(xiàn)2：日本特開2001-210910號公報(bào)
7、專利文獻(xiàn)3：日本專利第3525257號公報(bào)
8、專利文獻(xiàn)4：日本特開2004-356608號公報(bào)
9、專利文獻(xiàn)5：日本特開2013-120893號公報(bào)
10、專利文獻(xiàn)6：國際公開第2013/151145號公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的課題
2、在光半導(dǎo)體裝置的制造工序中，有時(shí)作為對光半導(dǎo)體裝置的活性層的特性進(jìn)行中間檢查的工序，從與基板相反的一側(cè)向活性層照射光而發(fā)光，測定該發(fā)光光譜，并根據(jù)發(fā)光光譜的峰值波長檢查活性層的特性。
3、然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究，在具有上述那樣的電場分布調(diào)整層的光半導(dǎo)體裝置中，有時(shí)在中間檢查中根據(jù)發(fā)光光譜得到的活性層的特性與成品中的活性層的特性不同。這樣的不同成為中間檢查中的活性層的特性的誤判定的原因，因此有可能招致光半導(dǎo)體裝置的成品率的降低、制造成本的增加。
4、本發(fā)明是鑒于上述而完成的，目的在于提供抑制制造成品率的降低、制造成本的增加的光半導(dǎo)體裝置。
5、用于解決課題的方案
6、本發(fā)明的一方案為一種光半導(dǎo)體裝置，其具備：n型包層；p型包層；以及活性層，其夾設(shè)于所述n型包層與所述p型包層之間，所述n型包層包括：基層；以及電場分布調(diào)整構(gòu)造，其包括具有與所述基層相同的折射率的多個(gè)第一層以及折射率比所述第一層高的多個(gè)第二層且通過所述第一層與所述第二層交替地周期性層疊而構(gòu)成，所述多個(gè)第二層包括存在于所述電場分布調(diào)整構(gòu)造的從所述第一層與所述第二層的層疊方向上的中央向至少一方的端靠近的位置且厚度比其他所述第二層小的緩和層。
7、也可以是，所述緩和層的折射率比其他所述第二層的折射率低。
8、也可以是，所述多個(gè)第二層包括存在于從所述中央向第一端靠近的位置的作為所述緩和層的第一緩和層以及存在于從所述中央向第二端靠近的位置的作為所述緩和層的第二緩和層。
9、也可以是，所述第一緩和層以及所述第二緩和層中的至少一方的折射率比其他所述第二層的折射率低。
10、本發(fā)明的一方案為一種光半導(dǎo)體裝置，其具備：n型包層；p型包層；以及活性層，其夾設(shè)于所述n型包層與所述p型包層之間，所述n型包層包括：基層；以及電場分布調(diào)整構(gòu)造，其包括具有與所述基層相同的折射率的多個(gè)第一層以及折射率比所述第一層高的多個(gè)第二層且通過所述第一層與所述第二層交替地周期性層疊而構(gòu)成，所述多個(gè)第二層包括存在于所述電場分布調(diào)整構(gòu)造的從所述第一層與所述第二層的層疊方向上的中央向第一端靠近的位置的第一緩和層以及存在于從所述中央向第二端靠近的位置的第二緩和層，所述第一緩和層以及所述第二緩和層的折射率比其他所述第二層的折射率低。
11、也可以是，所述基層以及所述第一層由inp構(gòu)成，所述第二層由包含as以及p作為組成的iii-v族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。
12、發(fā)明效果
13、根據(jù)本發(fā)明，起到能夠?qū)崿F(xiàn)抑制制造成品率的降低、制造成本的增加的光半導(dǎo)體裝置這樣的效果。
1.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，
5.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，