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      多層電子組件的制作方法

      文檔序號:42326557發(fā)布日期:2025-07-01 19:45閱讀:9來源:國知局

      本公開涉及一種多層電子組件。


      背景技術(shù):

      1、多層陶瓷組件(mlcc,一種多層電子組件)可以是安裝在各種電子產(chǎn)品(包括圖像顯示裝置(諸如液晶顯示器(lcd)和等離子體顯示面板(pdp))、計算機、智能電話、移動電話等)的印刷電路板上并且向其中充電或從其中放電的片式電容器。

      2、因為多層陶瓷電容器可具有小尺寸和高電容并且可容易地安裝,這種多層陶瓷電容器可用作各種電子裝置的組件。隨著諸如計算機和移動裝置的電子裝置已被設(shè)計成具有減小的尺寸和更高的輸出,對多層陶瓷電容器的小型化和更高電容的需求已經(jīng)增加。

      3、此外,隨著汽車電氣組件的應(yīng)用增加,在各種環(huán)境中的高可靠性是必要的。特別地,由于作為汽車核心組件的動力傳動系統(tǒng)可能發(fā)熱到超過100℃,因此需要開發(fā)即使在高溫下也穩(wěn)定運行的多層陶瓷電容器。

      4、為了改善多層陶瓷電容器的高溫可靠性,可改變介電層的材料。例如,介電晶粒可被構(gòu)造為具有核殼結(jié)構(gòu)。然而,由于核殼結(jié)構(gòu)的形狀可能極大地影響多層陶瓷電容器的電特性,因此可能難以控制微結(jié)構(gòu)。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、本公開的實施例在于提供一種具有改善的可靠性的多層電子組件。

      2、本公開的實施例在于提供一種具有改善的高溫可靠性的多層電子組件。

      3、根據(jù)本公開的實施例,一種多層電子組件包括:主體,包括電容形成部和覆蓋部,所述電容形成部包括介電層和在第一方向上與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極,所述覆蓋部分別設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的上部和下部上,并且包括在所述第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面、以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面;外電極,設(shè)置在所述主體上。所述覆蓋部包括利用包含稀土元素、si和o的化合物形成的一個或多個晶相。當在所述第一表面和所述第二表面中的至少一個表面的中央部分中由所述晶相占據(jù)的面積比定義為s1,并且在所述覆蓋部中的至少一個覆蓋部的在所述第一方向和所述第三方向上的截面的中央部分中由所述晶相占據(jù)的面積比定義為s2時,滿足s1>s2。所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一個表面是所述覆蓋部的外表面。



      技術(shù)特征:

      1.一種多層電子組件,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述稀土元素包括釔。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述晶相包括y2si2o7。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述晶相的長軸與短軸之比大于等于1.5且小于等于60。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述晶相的短軸的長度大于等于0.05μm且小于等于0.5μm,并且所述晶相的長軸的長度大于等于0.1μm且小于等于3.0μm。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,s1大于等于5%。

      7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,

      8.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,

      10.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,

      11.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述覆蓋部中的所述至少一個覆蓋部包括以下成分中的一種或多種作為主成分:batio3、(ba1-xcax)tio3、ba(ti1-ycay)o3、?(ba1-xcax)(ti1-yzry)o3和ba(ti1-yzry)o3,其中,0<x<1,?0<y<1。

      12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述晶相不包括ba和ti。

      13.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,

      14.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述覆蓋部中的所述至少一個覆蓋部包括以下成分中的一種或多種作為主成分:batio3、(ba1-xcax)tio3、ba(ti1-ycay)o3、(ba1-xcax)(ti1-yzry)o3和ba(ti1-yzry)o3,其中,0<x<1,?0<y<1,并且

      15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件,其中,所述晶相具有棒形狀。


      技術(shù)總結(jié)
      本公開提供一種多層電子組件,所述多層電子組件包括:主體,包括電容形成部和覆蓋部,所述電容形成部包括介電層和在第一方向上與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極,所述覆蓋部分別設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的上部和下部上,并且包括在所述第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面;外電極,設(shè)置在所述主體上。覆蓋部包括一個或多個晶相,所述晶相包含稀土元素、Si和O的化合物。當在所述第一表面和所述第二表面中的至少一個表面的中央部分中由所述晶相占據(jù)的面積比定義為S1,并且在所述覆蓋部中的至少一個覆蓋部的在所述第一方向和所述第三方向上的截面的中央部分中由所述晶相占據(jù)的面積比定義為S2時,滿足S1>S2。

      技術(shù)研發(fā)人員:金相祐,尹惠圣,李和泳,景山,鄭雪雅
      受保護的技術(shù)使用者:三星電機株式會社
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2025/6/30
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