本申請屬于微納米制造，尤其涉及一種微納結構的制備方法及微納結構。
背景技術：
1、隨著微納制造技術的不斷進步，電子器件和傳感器的尺寸越來越小，對器件結構和功能材料的精細加工要求也隨之提高。金屬圖案制備作為微電子制造過程中的關鍵步驟之一，廣泛應用于集成電路、光電器件、傳感器和柔性電子等領域。
2、在傳統的光刻工藝中，通常采用的是濕法刻蝕和顯影的方法，雖然能夠實現較高的分辨率，但面臨著污染材料、廢液處理及高成本等問題。同時濕法過程中不同有機溶劑的使用限制了其在某些領域的應用，比如在柔性電子領域，某些有機材料無法兼容濕法過程中有機溶劑的使用，使得傳統光刻技術很難在這些領域廣泛應用。
技術實現思路
1、針對上述相關技術中存在的問題，本發明提供了一種微納結構的制備方法及微納結構，通過高精度的圖案刻蝕、干法剝離的工藝及高效的加工能力，能夠提高微納結構的分辨率和加工效率，并能夠降低成本及避免環境污染等問題。
2、第一方面，本申請實施例提出一種微納結構的制備方法，包括以下步驟：
3、在基底上旋涂光刻膠薄膜；
4、在所述光刻膠薄膜上刻蝕鏤空圖案，以在所述基底上形成圖案層；
5、在所述圖案層和所述基底的露出部分上蒸鍍金屬介質；和
6、將黏膠覆蓋在所述圖案層上的金屬介質上，并通過機械剝離所述黏膠移除所述圖案層及所述圖案層上方的金屬介質，以制備包括所述基底和金屬層的微納結構。
7、進一步地，所述光刻膠薄膜為ppc薄膜，所述在基底上旋涂光刻膠薄膜，包括：
8、將配置好的ppc溶液滴在所述基底表面；和
9、通過勻膠操作，以在所述基底上形成ppc薄膜。
10、進一步地，所述ppc溶液的濃度為6.5％。
11、進一步地，所述基底由sio2/si、al2o3或si制成。
12、進一步地，所述在所述光刻膠薄膜上刻蝕鏤空圖案，以在所述基底上形成圖案層，包括：
13、通過熱探針在所述光刻膠薄膜上刻蝕陣列圖案；和
14、通過等離子體處理方法，在所述陣列圖案上刻蝕所述鏤空圖案，以在所述基底上形成所述圖案層。
15、進一步地，所述通過等離子體處理方法，在所述陣列圖案上刻蝕所述鏤空圖案，以在所述基底上形成圖案層，包括：
16、通過等離子體處理方法，在所述陣列圖案上短時間多次刻蝕，以形成所述鏤空圖案，在所述基底上形成所述圖案層。
17、進一步地，所述金屬層包括第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第一金屬層上方。
18、進一步地，所述第一金屬層的材質為金屬cr，所述第一金屬層的材質為金屬au。
19、進一步地，所述第一金屬層的厚度為3至7nm，所述第二金屬層的厚度為15至20nm。
20、第二方面，本申請實施例提供一種微納結構，所述微納結構由以上任一項所述的方法制成。
21、在本申請實施例提供的微納結構的制備方法中，首先需要在基底上旋涂光刻膠薄膜，然后在所述光刻膠薄膜上刻蝕鏤空圖案，以在所述基底上形成圖案層，并在所述圖案層和所述基底的露出部分上蒸鍍金屬介質，最后，將黏膠覆蓋在所述圖案層上的金屬介質上，并通過機械剝離所述黏膠移除所述圖案層及所述圖案層上方的金屬介質，以制備包括所述基底和金屬層的微納結構，因此本申請實施例提供的微納結構的制備方法，通過高精度的圖案刻蝕、干法剝離的工藝及高效的加工能力，能夠提高微納結構的分辨率和加工效率，并能夠降低成本及避免環境污染等問題。
1.一種微納結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠薄膜為ppc薄膜，所述在基底上旋涂光刻膠薄膜，包括：
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述ppc溶液的濃度為6.5％。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述基底由sio2/si、alo3或si制成。
5.如權利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于，所述在所述光刻膠薄膜上刻蝕鏤空圖案，以在所述基底上形成圖案層，包括：
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過等離子體處理方法，在所述陣列圖案上刻蝕所述鏤空圖案，以在所述基底上形成圖案層，包括：
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第一金屬層上方。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層的材質為金屬cr，所述第一金屬層的材質為金屬au。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為3至7nm，所述第二金屬層的厚度為15至20nm。
10.一種微納結構，其特征在于，所述微納結構由權利要求1至9任一項所述的方法制成。