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      封裝結構及其制造方法與流程

      文檔序號:42181232發布日期:2025-06-17 17:56閱讀:174來源:國知局

      本發明涉及一種封裝結構及其制造方法,尤其涉及一種真空封裝結構及其制造方法。


      背景技術:

      1、真空封裝常應用在微機電(mems)晶片、熱成像感測晶片等集成電路封裝。一般來說,真空封裝是將裸晶設置于玻璃纖維(例如fr4)基板或陶瓷基板上,并將上蓋與玻璃纖維基板或陶瓷基板粘接而形成真空腔室,以使裸晶位于真空腔室中來形成。然而,玻璃纖維基板的氣密性較差,會影響真空封裝的真空度,另外,陶瓷基板的成本較高且加工難度高。因此,如何使真空封裝具有良好的真空度并降低成本是目前需改善的問題。


      技術實現思路

      1、本發明提供一種封裝結構及其制造方法,具有良好的真空度且容易制造。

      2、本發明的封裝結構包括金屬芯基板、傳感器以及蓋體。傳感器設置于金屬芯基板上。蓋體設置于金屬芯基板上,其中蓋體與金屬芯基板密封而形成真空腔室,傳感器位于真空腔室中。蓋體包括濾光片部分,濾光片部分在金屬芯基板上的正投影與傳感器在金屬芯基板上的正投影重疊。

      3、在本發明的一實施例中,上述的蓋體部分嵌入所述金屬芯基板中。

      4、在本發明的一實施例中,上述的金屬芯基板包括核心基底、第一介電層以及第一導電層。核心基底具有第一表面及與第一表面相對的第二表面,其中核心基底的材料包括金屬。第一介電層設置于核心基底的第一表面上。第一導電層設置于第一介電層上,其中傳感器與部分第一導電層電性連接。

      5、在本發明的一實施例中,上述的部分蓋體穿過第一介電層并與核心基底電性連接。

      6、在本發明的一實施例中,上述的第一導電層包括環形導電部分,其對應于蓋體的周邊并與蓋體連接。

      7、在本發明的一實施例中,上述的金屬芯基板還包括第二介電層以及第二導電層。第二介電層設置于核心基底的第二表面上。第二導電層設置于第二介電層上。

      8、在本發明的一實施例中,上述的金屬芯基板還包括穿基底通孔,其設置于核心基底中并與第一導電層和第二導電層電性連接。

      9、在本發明的一實施例中,上述的蓋體還包括支撐部分,其連接于金屬芯基板及濾光片部分之間,以使濾光片部分懸于傳感器之上。

      10、在本發明的一實施例中,上述的支撐部分具有開孔,開孔與傳感器對應,其中濾光片部分設置于支撐部分上并將開孔密封。

      11、在本發明的一實施例中,上述的支撐部分的材料與濾光片部分的材料不同。

      12、本發明的封裝結構的制造方法包括以下步驟。將傳感器附接在金屬芯基板上。在真空環境下,將蓋體粘合于金屬芯基板上,以在蓋體與金屬芯基板之間形成真空腔室,其中傳感器位于真空腔室中。蓋體包括濾光片部分,濾光片部分在金屬芯基板上的正投影與傳感器在金屬芯基板上的正投影重疊。

      13、在本發明的一實施例中,上述的金屬芯基板包括核心基底、第一介電層以及第一導電層。核心基底具有第一表面及與第一表面相對的第二表面,其中核心基底的材料包括金屬。第一介電層設置于核心基底的第一表面上。第一導電層設置于第一介電層上,其中傳感器與部分第一導電層電性連接。

      14、在本發明的一實施例中,上述在將蓋體粘合于金屬芯基板上之前,移除部分第一介電層以形成凹槽,凹槽暴露出核心基底。蓋體設置于凹槽中并通過導電粘合層與核心基底粘合。

      15、在本發明的一實施例中,上述第一導電層包括環形導電部分,蓋體設置于環形導電部分上并通過導電粘合層與環形導電部分粘合。

      16、在本發明的一實施例中,上述蓋體的形成方法包括以下步驟。將金屬板壓制成具有u型的剖面形狀,以形成支撐部分,其中支撐部分包括側壁結構以及與側壁結構連接的平板結構。在平板結構中形成開孔。將光學濾光片粘合至平板結構并將開孔密封,以形成濾光片部分。

      17、在本發明的一實施例中,上述蓋體的形成方法包括以下步驟。提供支撐部分,其中支撐部分具有環形側壁結構,環形側壁結構定義出開孔。將光學濾光片粘合在支撐部分上并覆蓋開孔,以形成濾光片部分。

      18、在本發明的一實施例中,上述蓋體的形成方法包括以下步驟。提供光學濾光片基材。自光學濾光片基材的表面移除部分光學濾光片基材,以在光學濾光片基材中形成凹槽,而剩余的光學濾光片基材則形成為蓋體。

      19、基于上述,本發明的封裝結構利用金屬芯基板與蓋體接合來形成,由于金屬芯基板的氣密性佳,且容易加工,有助于提升封裝結構的真空度并使制造成本降低。



      技術特征:

      1.一種封裝結構,包括:

      2.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述蓋體部分嵌入所述金屬芯基板中。

      3.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述金屬芯基板包括:

      4.根據權利要求3所述的封裝結構,其中部分所述蓋體穿過所述第一介電層并與所述核心基底電性連接。

      5.根據權利要求3所述的封裝結構,其中所述第一導電層包括:

      6.根據權利要求3所述的封裝結構,其中所述金屬芯基板還包括:

      7.根據權利要求6所述的封裝結構,其中所述金屬芯基板還包括:

      8.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述蓋體還包括:

      9.根據權利要求8所述的封裝結構,其中所述支撐部分具有開孔,所述開孔與所述傳感器對應,其中所述濾光片部分設置于所述支撐部分上并將所述開孔密封。

      10.根據權利要求8所述的封裝結構,其中所述支撐部分的材料與所述濾光片部分的材料不同。

      11.一種封裝結構的制造方法,包括:

      12.根據權利要求11所述的封裝結構的制造方法,其中所述金屬芯基板包括:

      13.根據權利要求12所述的封裝結構的制造方法,其中在將所述蓋體粘合于所述金屬芯基板上之前,移除部分第一介電層以形成凹槽,所述凹槽暴露出所述核心基底,

      14.根據權利要求12所述的封裝結構的制造方法,其中所述第一導電層包括環形導電部分,所述蓋體設置于所述環形導電部分上并通過導電粘合層與所述環形導電部分粘合。

      15.根據權利要求11所述的封裝結構的制造方法,其中所述蓋體的形成方法包括:

      16.根據權利要求11所述的封裝結構的制造方法,其中所述蓋體的形成方法包括:

      17.根據權利要求11所述的封裝結構的制造方法,其中所述蓋體的形成方法包括:


      技術總結
      本發明提供一種封裝結構及其制造方法。封裝結構包括金屬芯基板、傳感器以及蓋體。傳感器設置于金屬芯基板上。蓋體設置于金屬芯基板上,其中蓋體與金屬芯基板密封而形成真空腔室,傳感器位于真空腔室中。蓋體包括濾光片部分,濾光片部分在金屬芯基板上的正投影與傳感器在金屬芯基板上的正投影重疊。

      技術研發人員:林建良
      受保護的技術使用者:松翰科技股份有限公司
      技術研發日:
      技術公布日:2025/6/16
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