本發明涉及半導體加工，特別是涉及一種磨輪的鍍膜方法。
背景技術：
1、半導體材質的硬度很大，加工難度很大，特別是切割分離工藝，其加工質量會直接影響到下一個工序。目前，通常采用磨輪對半導體進行切割，而磨輪通常使用金剛石壓制而成，其具有硬度高和耐腐蝕等特點。然而，在加工過程中，金剛石的結晶不好，顆粒大小不均勻，更加嚴重的是，如果選用破損的金剛石顆粒，會給半導體切割的側壁造成劃痕，影響半導體工作性能。由于所用的金剛石顆粒很小，破損的金剛石顆粒很難篩選，因而若篩選出金剛石顆粒也會造成不必要的浪費。
技術實現思路
1、本發明實施例針對現有技術中的不足，提供一種磨輪的鍍膜方法，包括：
2、對磨輪進行清潔；
3、采用磁控濺射在清潔后的磨輪上濺射碳，形成碳保護層；
4、采用磁控濺射離子鍍在形成有碳保護層的磨輪上沉積鈦/碳復合物層；
5、采用磁控濺射離子鍍在形成有鈦/碳復合物層的磨輪上沉積類金剛石涂層。
6、作為優選方案，所述采用磁控濺射在清潔后的磨輪上濺射碳，形成碳保護層，具體包括：
7、通入氬氣和氧氣，并以碳靶作為靶材，以通過磁控濺射在磨輪上濺射碳保護層。
8、作為優選方案，形成所述碳保護層時，氬氣的流量為800-1000sccm，氧氣的流量為160-200sccm，工作氣壓為1×10-3-3×10-3pa；磁控濺射的功率為600-800w，磁控濺射的負電壓為150-200v；偏壓頻率為180khz,濺射的時間為50-60min，真空室加熱的溫度為20-23℃。
9、作為優選方案，所述采用磁控濺射離子鍍在形成有碳保護層的磨輪上沉積鈦/碳復合物層，具體包括：
10、采用1.5×10-3pa以上的真空度，而后通入氮氣，氣壓控制在0.5pa；
11、采用鈦靶和碳靶兩靶共同濺射，以在磨輪上沉積鈦/碳復合物層；其中，鈦靶電流為0.5a，碳靶電流為2.5a，負偏壓為150v，偏壓頻率為120khz。
12、作為優選方案，所述采用磁控濺射離子鍍在形成有鈦/碳復合物層的磨輪上沉積類金剛石涂層，具體包括：
13、向真空室內通入碳氫類氣體，保持真空度在5×10-3pa；
14、開啟離子束電源，以在磨輪上沉積類金剛石涂層；其中，工作電流為2.0-2.5a，磨輪上負偏壓大于200v，偏壓頻率為150khz，沉積時間為60-80分鐘。
15、作為優選方案，所述碳氫類氣體為ch4。
16、作為優選方案，在所述采用磁控濺射離子鍍在形成有碳保護層的磨輪上沉積鈦/碳復合物層之前，還包括：
17、對所述碳保護層進行表面粗糙度處理；其中，表面粗糙度處理后的所述碳保護層的遠離所述磨輪的表面具有以下形貌：
18、所述碳保護層的遠離所述磨輪的表面具有多個凸起部，多個凸起部的高度小于所述鈦/碳復合物層的厚度的一半。
19、作為優選方案，多個所述凸起部的橫截面面積從所述凸起部的底部朝所述凸起部的頂部逐漸變小。
20、作為優選方案，多個所述凸起部均勻分布在所述碳保護層的表面。
21、相比于現有技術，本發明實施例的有益效果在于：本發明實施例提供了一種磨輪的鍍膜方法，先對磨輪進行清潔，然后采用磁控濺射在清潔后的磨輪上濺射碳，形成碳保護層，再采用磁控濺射離子鍍在形成有碳保護層的磨輪上沉積鈦/碳復合物層，接著采用磁控濺射離子鍍在形成有鈦/碳復合物層的磨輪上沉積類金剛石涂層，從而在磨輪上形成鍍膜結構，使得破損的金剛石表面的批鋒得到鈍化，從而能夠減少在切割工序中對半導體的劃傷，使得磨輪的切割性能顯著提升，提高了良品率，同時減少了磨輪的更換頻率。
1.一種磨輪的鍍膜方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射在清潔后的磨輪上濺射碳，形成碳保護層，具體包括：
3.如權利要求2所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，形成所述碳保護層時，氬氣的流量為800-1000sccm，氧氣的流量為160-200sccm，工作氣壓為1×10-3-3×10-3pa；磁控濺射的功率為600-800w，磁控濺射的負電壓為150-200v；偏壓頻率為180khz,濺射的時間為50-60min，真空室加熱的溫度為20-23℃。
4.如權利要求1所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在形成有碳保護層的磨輪上沉積鈦/碳復合物層，具體包括：
5.如權利要求1所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在形成有鈦/碳復合物層的磨輪上沉積類金剛石涂層，具體包括：
6.如權利要求5所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，所述碳氫類氣體為ch4。
7.如權利要求1-6任一項所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，在所述采用磁控濺射離子鍍在形成有碳保護層的磨輪上沉積鈦/碳復合物層之前，還包括：
8.如權利要求7所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，多個所述凸起部的橫截面面積從所述凸起部的底部朝所述凸起部的頂部逐漸變小。
9.如權利要求8所述的磨輪的鍍膜方法，其特征在于，多個所述凸起部均勻分布在所述碳保護層的表面。