一種膠體量子點焦平面芯片及其制備方法與流程

技術特征：

1.一種膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

4.根據權利要求1所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

5.根據權利要求4所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

6.根據權利要求4所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

7.根據權利要求6所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

8.根據權利要求6所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

9.根據權利要求1所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

10.根據權利要求4所述的膠體量子點焦平面芯片的制備方法，其特征在于，

11.一種膠體量子點焦平面芯片，其特征在于，包括：

12.根據權利要求11所述的膠體量子點焦平面芯片，其特征在于，

技術總結
本發明涉及光電成像技術領域，公開了一種膠體量子點焦平面芯片及其制備方法，制備方法包括：提供基底；在基底一側表面形成陣列排布的多個電極；在基底一側表面形成多個像元隔離層；多個像元隔離層在第一方向上間隔排列，且沿第二方向延伸；多個電極和多個像元隔離層共同圍出陣列排布的多個像元區，像元區中暴露出基底表面；在基底一側表面形成膠體量子點光敏薄膜，膠體量子點光敏薄膜覆蓋像元區暴露的基底表面并包覆像元隔離層和電極；膠體量子點光敏薄膜包括光敏區和非光敏區；光敏區位于基底表面的像元區；非光敏區位于像元隔離層背向基底的一側表面。本發明可以實現像元之間的無損隔離，提高芯片的光電性能、穩定性和可靠性，降低工藝成本。

技術研發人員：朱家旗,戴寧,單玉鳳,朱賀,段俊麗
受保護的技術使用者：國科大杭州高等研究院
技術研發日：
技術公布日：2025/6/30