本揭露關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
1、半導(dǎo)體裝置包括不同類(lèi)型的記憶體，例如隨機(jī)存取記憶體(random-accessmemory，ram)、只讀記憶體(read-only?memory，rom)和電熔絲(electrical?fuse，efuse)記憶體。efuse記憶體是一種可程序化非揮發(fā)性記憶體(non-volatile?memory，nvm)，在半導(dǎo)體裝置斷電時(shí)不會(huì)遺失數(shù)據(jù)。通常，efuse使用位于端子之間的窄條導(dǎo)電材料(稱(chēng)為熔斷絲)整合到半導(dǎo)體裝置中。為了對(duì)efuse進(jìn)行編程，需要向熔絲體施加電流以改變?nèi)劢z體的電阻率。使用感測(cè)電路(例如讀出放大器)來(lái)讀取efuse的狀態(tài)，即它是否已被編程。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包含基板、讀出放大器以及多個(gè)位元單元。讀出放大器包含具有延伸到基板中的多個(gè)第一漏極/源極區(qū)的多個(gè)第一環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管。多個(gè)位元單元包含多個(gè)熔絲記憶元件和多個(gè)第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管。各位元單元包含熔絲記憶元件，其具有第一端子和第二端子。第一端子連接至讀出放大器的輸入端，第二端子連接至第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管。第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含多個(gè)第二漏極/源極區(qū)和底部介電隔離層，且底部介電隔離層位于這些第二漏極/源極區(qū)下方。
2、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包含基板、至少一讀出放大器以及多個(gè)位元單元。讀出放大器包含多個(gè)第一環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管和多個(gè)第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管。這些第一環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管具有延伸至基板中的多個(gè)第一漏極/源極區(qū)。各第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含多個(gè)第二漏極/源極區(qū)和底部介電隔離層，且底部介電隔離層位于這些第二漏極/源極區(qū)下方。多個(gè)位元單元包含多個(gè)氧化銦鎵鋅晶體管，各位元單元連接至讀出放大器并配置以將至少一位元數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在熔絲或反熔絲中。
3、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包含基板、多個(gè)第一環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管、多個(gè)第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管以及多個(gè)熔絲記憶元件。多個(gè)第一環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含延伸至基板中的多個(gè)第一漏極/源極區(qū)，且這些第一環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管是至少一讀出放大器的一部分。多個(gè)第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含多個(gè)第二漏極/源極區(qū)和底部介電隔離層，且底部介電隔離層位于這些第二漏極/源極區(qū)下方。這些第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管中的至少一個(gè)連接至這些熔絲記憶元件中的至少一個(gè)。
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中各該第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含與所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)接觸的該底部介電隔離層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中各該第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含在所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的一個(gè)下方的該底部介電隔離層的一第一段和以及在所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的另一個(gè)下方的該底部介電隔離層的一第二段。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第一段與所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的一個(gè)接觸，且該第二段與所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的另一個(gè)接觸。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中各該第二環(huán)繞式柵極場(chǎng)效晶體管包含從所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的一個(gè)延伸至所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的另一個(gè)的該底部介電隔離層的一段。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該段與所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的一個(gè)和所述多個(gè)第二漏極/源極區(qū)中的另一個(gè)接觸。
7.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中各該位元單元包含至少二個(gè)串聯(lián)連接的所述多個(gè)氧化銦鎵鋅晶體管以提供一反熔絲位元單元。
9.如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該至少一讀出放大器位于該半導(dǎo)體裝置的一第一平面上，且所述多個(gè)位元單元位于該半導(dǎo)體裝置的至少一第二平面上，該至少一第二平面不同于該半導(dǎo)體裝置的該第一平面。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：