半導體裝置的制作方法

本發明的一個實施方式涉及半導體裝置。

背景技術：

1、nand閃速存儲器的高層疊化得以發展，存在用于數據寫入的高耐壓晶體管在芯片尺寸中所占的比例增大的傾向。特別是，隨著高層疊化的發展，包含驅動字線和控制線的字線開關晶體管、和控制字線開關晶體管的柵極電壓的電路的核心電路的面積增大，難以縮小芯片尺寸。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：美國專利公開公報2017/0084335號

技術實現思路

1、在此，本發明的一個實施方式提供一種能夠實現芯片尺寸的縮小的半導體裝置。

2、為了解決上述技術問題，根據本發明的一個實施方式，提供一種半導體裝置，其具備：

3、控制布線，其與第一晶體管的柵極連接；

4、第二晶體管，其具有分別作為源極或漏極的第一端子和第二端子、以及連接到所述控制布線的第一柵極，所述第一端子被輸入用于使所述第一晶體管導通的第一電壓；

5、第三晶體管，其具有分別作為源極或漏極的第三端子和第四端子、以及第二柵極，所述第三端子與所述第二端子連接，所述第四端子控制所述控制布線的電壓，所述第三晶體管通過在所述第一晶體管導通時輸入到所述第二柵極的第一控制信號而導通；

6、第四晶體管，其具有分別作為源極或漏極的第五端子和第六端子、以及第三柵極，所述第四晶體管通過在所述第三晶體管導通時輸入到所述第三柵極的第二控制信號而導通，通過在所述第三晶體管截止時輸入到所述第三柵極的所述第二控制信號而截止；以及

7、電容器，其通過電容耦合，將在所述第一晶體管和所述第二晶體管導通的狀態下從所述第四端子輸出的第二電壓升壓到比所述第二電壓高的第三電壓，并供給到所述控制布線。

技術特征：

1.一種半導體裝置，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，

15.一種半導體裝置，具備：

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其中，

17.根據權利要求16所述的半導體裝置，其中，

18.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

技術總結
實現芯片尺寸的小型化和電力消耗的削減。半導體裝置具備：控制布線，其與第一晶體管的柵極連接；第二晶體管，其具有第一端子和第二端子、連接到控制布線的第一柵極，第一端子被輸入用于使第一晶體管導通的第一電壓；第三晶體管，其具有與第二端子連接的第三端子和控制控制布線的電壓的第四端子、及第二柵極，且通過在多個第一晶體管導通時輸入到第二柵極的第一控制信號而導通；第四晶體管，其具有第五端子和第六端子、及第三柵極，且通過在第三晶體管導通時輸入到第三柵極的第二控制信號而導通；以及電容器，其通過電容耦合，將在第一晶體管和第二晶體管導通的狀態下從第四端子輸出的第二電壓升壓到比第二電壓高的第三電壓，并供給到控制布線。

技術研發人員：沓掛弘之,橋本壽文,岡田信彬
受保護的技術使用者：鎧俠股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/6/30