實施例涉及一種空白掩模以及一種制造空白掩模的方法。
背景技術：
1、由于半導體器件等的高度集成，需要對半導體器件的電路圖案進行精細化。因此，作為使用光掩模在晶片表面上顯影電路圖案的技術的光刻技術的重要性更加突出。
2、為了顯影精細化的電路圖案，需要在曝光工藝中使用波長較短的曝光光源。目前使用的曝光光源的示例有氟化氬(arf)準分子激光器(波長：193nm)等。
3、同時，光掩模的示例包括二元掩模和相移掩模等。
4、二元掩模具有如下的構造：在該構造中，在透光性基板上形成遮光層圖案。在二元掩模的形成有圖案的表面上，不包括遮光層的透光部使曝光光線(exposure?light)透射，并且包括遮光層的遮光部阻擋曝光光線，從而使晶片表面的抗蝕劑膜上的圖案曝光。同時，隨著二元掩模的圖案變得更精細，由于曝光工藝期間在透光部的邊緣處發生的光衍射，在精細圖案現象中可能會出現問題。
5、相移掩模的示例有交替型(levenson-type)掩模、外架型(outrigger-type)掩模和半色調型(half?tone-type)掩模。在這些掩模中，半色調型相移掩模具有形成在透光性基板上的由半透射膜制成的圖案。在半色調型相移掩模的圖案化表面上，不包括半透射層的透光部使曝光光線透射，并且包括半透射層的半透射部使衰減的曝光光線透射。與已經穿過透光部的曝光光線相比，衰減的曝光光線具有相位差。因此，在透光部的邊緣處產生的衍射光通過已經透過半透射部的曝光光線進行抵消，從而相移掩模可以在晶片表面上形成更精細的精細圖案。
6、相關文獻如下：
7、(專利文獻0001)韓國專利申請公開第10-2012-0057488號；
8、(專利文獻0002)韓國專利申請公開第10-2014-0130420號。
技術實現思路
1、技術問題
2、因此，本發明是鑒于上述問題而作出的，并且本發明的一個目的是提供一種空白掩模以及一種制造該空白掩模的方法，該空白掩模被精確地圖案化以提供具有低光學失真的光掩模。
3、技術方案
4、根據本發明的一方面，可以通過提供一種制造空白掩模的方法來實現上述目的和其他目的，該方法包括：在透光性基板上形成遮光膜，以形成光學基板；準備用于將光致抗蝕劑樹脂組合物噴灑到該光學基板上的噴嘴；用該光致抗蝕劑樹脂組合物填充該噴嘴并且維持該光致抗蝕劑樹脂組合物填充在該噴嘴的內部的狀態；去除該噴嘴的內部的該光致抗蝕劑樹脂組合物；以及使用該噴嘴在該遮光膜上形成光致抗蝕劑層。
5、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，該光致抗蝕劑層可以包括：平坦部分，該平坦部分設置在該遮光膜上；以及光學不規則體(optical?irregularity)，這些光學不規則體的光學厚度與該平坦部分的光學厚度不同，其中，這些光學不規則體由532nm激光檢測，并且以小于30/36平方英寸(inch2)的數量布置在該遮光膜上。
6、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，在維持該光致抗蝕劑樹脂組合物填充在該噴嘴的內部的狀態時，可以將該光致抗蝕劑樹脂組合物的一部分形成為從該噴嘴的入口暴露于外部。
7、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，可以將該光致抗蝕劑樹脂組合物填充在該噴嘴的內部的狀態維持約30秒至約300分鐘。
8、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，在維持該光致抗蝕劑樹脂組合物填充在該噴嘴的內部的狀態時，可以使附著到該噴嘴的內部的殘留物從該噴嘴的內表面脫離。
9、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，可以維持該光致抗蝕劑樹脂組合物填充在該噴嘴的內部的狀態，直到該殘留物從該噴嘴的該內表面脫離。
10、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，這些光學不規則體的數量可以小于20/36平方英寸。
11、根據本發明的另一方面，提供了一種空白掩模，該空白掩模包括：透明基板；遮光膜，該遮光膜設置在該透明基板上；以及光致抗蝕劑層，該光致抗蝕劑層設置在該遮光膜上，其中，該光致抗蝕劑層包括：平坦部分，該平坦部分設置在該遮光膜上；以及光學不規則體，這些光學不規則體由532nm激光檢測，其中，這些光學不規則體以小于30/36平方英寸的數量布置在該遮光膜上。
12、在根據實施例的空白掩模中，這些光學不規則體的數量可以小于20/36平方英寸。
13、在根據實施例的空白掩模中，這些光學不規則體的折射率可以與該光致抗蝕劑層的折射率不同。
14、在根據實施例的空白掩模中，這些光學不規則體的厚度可以與該光致抗蝕劑層的厚度不同。
15、在根據實施例的空白掩模中，這些光學不規則體的光學厚度可以與該平坦部分的光學厚度不同。
16、在根據實施例的空白掩模中，這些光學不規則體可以包括光路改變部。
17、在根據實施例的空白掩模中，該光路改變部的折射率可以與該平坦部分的折射率不同。
18、根據本發明的又一方面，提供了一種制造空白掩模的方法，該方法包括：在透光性基板上形成遮光膜，以形成光學基板；準備用于將光致抗蝕劑樹脂組合物噴灑到該光學基板上的噴嘴；用該光致抗蝕劑樹脂組合物填充該噴嘴并且使殘留物從該噴嘴的內表面脫離；從噴嘴的內部去除該光致抗蝕劑樹脂組合物和脫離的該殘留物；以及使用該噴嘴在該遮光膜上形成光致抗蝕劑層。
19、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，可以通過填充在該噴嘴的內部的該光致抗蝕劑樹脂組合物使附著到該噴嘴的該內表面的該殘留物脫離。
20、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，可以將該光致抗蝕劑樹脂組合物填充在該噴嘴的內部的狀態維持約30秒至約300分鐘。
21、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，該殘留物的折射率可以與該光致抗蝕劑層的折射率不同。
22、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，該光致抗蝕劑樹脂組合物可以為液體，并且該殘留物可以為固體。
23、在根據實施例的制造空白掩模的方法中，該光致抗蝕劑層的光學不規則體的數量可以小于20/36平方英寸。
24、有益效果
25、如以上顯而易見的，根據實施例的制造空白掩模的方法包括維持如下狀態的步驟：在該狀態中，光致抗蝕劑樹脂組合物填充在用于噴灑光致抗蝕劑樹脂組合物的噴嘴的內部。此外，根據實施例的制造空白掩模的方法包括去除噴嘴的內部的光致抗蝕劑樹脂組合物的步驟。因此，可以容易地去除附著到噴嘴的內部的殘留物。
26、因此，根據實施例的制造空白掩模的方法可以防止殘留物進入光致抗蝕劑層。
27、因此，根據實施例的空白掩模可以減少由殘留物等引起的光學不規則體的數量。根據實施例的空白掩模可以包括數量小于30/36平方英寸的光學不規則體。
28、因此，根據實施例的制造空白掩模的方法可以實現總體上具有光學平坦度的光致抗蝕劑層。因此，光致抗蝕劑層可以精確地圖案化遮光膜。
29、特別地，由于光致抗蝕劑層具有如上所述的由532nm激光檢測的上述數量的光學不規則體，所以該光致抗蝕劑層可以通過紫外線精確地顯影。
30、因此，根據實施例的空白掩模可以提供具有精確圖案的光掩模。