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      一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器及其制備方法

      文檔序號:42326918發(fā)布日期:2025-07-01 19:46閱讀:22來源:國知局

      本發(fā)明屬于有機光電探測器,特別涉及一種基于范德瓦爾斯接觸的疊層三重異質(zhì)結(jié)(lthj)低暗電流全聚合物有機光電探測器及其制備方法。


      背景技術(shù):

      1、有機光電探測器(opd)因其柔性可彎曲性、低成本制備工藝、寬光譜響應(yīng)范圍及優(yōu)異的可調(diào)節(jié)性,在生物醫(yī)療傳感、光通信、夜視成像、人工智能傳感等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。其中,近紅外opd因能夠在非可見光范圍內(nèi)進行高效探測,適用于低功耗生物信號監(jiān)測(如光電容積脈搏波ppg傳感)、隱形光通信和安防監(jiān)測,已成為該領(lǐng)域的研究熱點。然而,現(xiàn)有opd在性能上仍面臨諸多挑戰(zhàn),主要包括高暗電流、低比探測率(d*)、有限的響應(yīng)度以及噪聲抑制能力不足等問題,這些因素嚴(yán)重限制了其在高靈敏度探測場景中的應(yīng)用。

      2、目前,體異質(zhì)結(jié)(bhj)結(jié)構(gòu)因其大面積的供體-受體界面,有助于提高激子解離效率,是有機光電探測器中最廣泛使用的結(jié)構(gòu)之一。然而,bhj結(jié)構(gòu)中供體相和受體相均可與電極直接接觸,導(dǎo)致電子和空穴可以直接注入受體的lumo能級或供體的homo能級,這將導(dǎo)致較高的暗電流,從而影響器件的信噪比和比探測率(d*)。另一方面,平面異質(zhì)結(jié)雖然能夠有效抑制載流子的非必要注入,但由于其供體-受體界面面積較小,激子解離效率受限,導(dǎo)致光電流較低,從而降低了探測器的整體性能。因此,如何在降低暗電流的同時維持較高的光響應(yīng),仍然是有機光電探測器領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問題。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、為解決現(xiàn)有有機光電探測器存在暗電流高、比探測率低的問題,本發(fā)明提出一種基于范德瓦爾斯接觸的疊層三重異質(zhì)結(jié)(lthj)低暗電流全聚合物有機光電探測器。該結(jié)構(gòu)在傳統(tǒng)體異質(zhì)結(jié)(bhj)基礎(chǔ)上,于其與陰極之間引入一層純受體材料,作為電子阻擋層,同時在其與陽極之間引入一層純供體材料,作為空穴阻擋層,從而有效抑制載流子的非必要注入,降低器件的暗電流并提高其比探測率。

      2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:

      3、一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器,該光電探測器包括依次層疊的:透明基底及電極層、電子傳輸層、聚合物受體層、聚合物體異質(zhì)結(jié)層、聚合物供體層、空穴傳輸層、頂電極層;

      4、所述聚合物受體層的厚度為15-50nm,聚合物體異質(zhì)結(jié)層的厚度為50-250nm,聚合物供體層的厚度為15-50nm;

      5、所述聚合物受體層的材料為有機聚合物受體材料,包括:n2200、py-it、pyf-t-o或pndi。相比于供體材料具有較低的homo能級,能夠有效阻擋外部電路空穴載流子的注入。

      6、所述聚合物體異質(zhì)結(jié)層的材料為有機聚合物受體材料和供體材料的混合材料。主要用于吸收光能和分離光生載流子電子-空穴對。

      7、所述聚合物供體層的材料為有機聚合物供體材料,包括:pm6,ptb7-th,d18,p3ht,pbdb-t。相比于受體材料具有較高的lomo能級,能夠有效阻擋外部電路電子載流子的注入。

      8、進一步的,所述“聚合物受體層與聚合物體異質(zhì)結(jié)層之間”和“聚合物體異質(zhì)結(jié)層與聚合物供體層之間”均為范德瓦爾斯接觸。

      9、一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器的制備方法,該方法包括:

      10、s1:清洗透明基底及電極層,采用去離子水、酒精和丙酮依次進行超聲清洗后干燥;

      11、s2:在透明基底及電極層表面旋涂電子傳輸層,并進行熱退火處理;

      12、s3:在電子傳輸層上旋涂聚合物受體層;

      13、s4:在聚合物受體層上通過水轉(zhuǎn)印法制備聚合物體異質(zhì)結(jié)層;

      14、s5:在體聚合物體異質(zhì)結(jié)層上通過水轉(zhuǎn)印法轉(zhuǎn)印聚合物供體層;

      15、s6:采用真空蒸鍍法沉積空穴傳輸層;

      16、s7:繼續(xù)采用真空蒸鍍法沉積頂電極。

      17、進一步的,所述所述步驟s4中水轉(zhuǎn)印過程包括:在裝有去離子水的玻璃皿中滴加聚合物體異質(zhì)結(jié)層溶液,待其在水面鋪展并干燥形成薄膜后,將器件倒置壓附于薄膜表面,完成轉(zhuǎn)印后真空處理1-10分鐘,然后進行熱退火處理。

      18、進一步的,所述步驟s5中水轉(zhuǎn)印過程包括:在裝有去離子水的玻璃皿中滴加聚合物供體溶液,待其在水面鋪展并干燥形成供體薄膜后,將器件倒置壓附于薄膜表面,完成轉(zhuǎn)印后真空處理1-10分鐘,然后進行熱退火處理。

      19、本發(fā)明通過構(gòu)建由純受體層、體異質(zhì)結(jié)層及純供體層組成的疊層三重異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),在有效提高激子解離效率的同時,形成載流子阻擋界面,顯著降低暗電流并提升比探測率(d*)與信噪比。該器件兼具體異質(zhì)結(jié)高效率和平面異質(zhì)結(jié)低噪聲的優(yōu)點,尤其適用于近紅外高靈敏度光電探測、低功耗生物信號讀取、光通信等領(lǐng)域,具有良好的產(chǎn)業(yè)化與應(yīng)用前景。



      技術(shù)特征:

      1.一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器,該光電探測器包括依次層疊的:透明基底及電極層、電子傳輸層、聚合物受體層、聚合物體異質(zhì)結(jié)層、聚合物供體層、空穴傳輸層、頂電極層;

      2.如權(quán)利要求1所述的一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器,其特征在于,所述聚合物體異質(zhì)結(jié)層的材料為有機聚合物受體材料和供體材料的混合材料。

      3.如權(quán)利要求1所述的一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器,其特征在于,所述聚合物供體層的材料為有機聚合物供體材料,包括:pm6,ptb7-th,d18,p3ht,pbdb-t。

      4.如權(quán)利要求1所述的一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器,其特征在于,所述“聚合物受體層與聚合物體異質(zhì)結(jié)層之間”和“聚合物體異質(zhì)結(jié)層與聚合物供體層之間”均為范德瓦爾斯接觸。

      5.一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器的制備方法,該方法包括:

      6.如權(quán)利要求5所述的一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器的制備方法,其特征在于,所述所述步驟s4中水轉(zhuǎn)印過程包括:在裝有去離子水的玻璃皿中滴加聚合物體異質(zhì)結(jié)層溶液,待其在水面鋪展并干燥形成薄膜后,將器件倒置壓附于薄膜表面,完成轉(zhuǎn)印后真空處理1-10分鐘,然后進行熱退火處理。

      7.如權(quán)利要求5所述的一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器的制備方法,其特征在于,所述步驟s5中水轉(zhuǎn)印過程包括:在裝有去離子水的玻璃皿中滴加聚合物供體溶液,待其在水面鋪展并干燥形成供體薄膜后,將器件倒置壓附于薄膜表面,完成轉(zhuǎn)印后真空處理1-10分鐘,然后進行熱退火處理。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種疊層三重異質(zhì)結(jié)低暗電流全聚合物有機光電探測器及其制備方法,屬于有機光電探測器技術(shù)領(lǐng)域。所述探測器在傳統(tǒng)體異質(zhì)結(jié)(BHJ)層的基礎(chǔ)上,于其與陰極之間引入一層純受體層,且在其與陽極之間引入一層純供體層,從而構(gòu)建疊層三重異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。體異質(zhì)結(jié)(BHJ)層與供體層通過水轉(zhuǎn)印工藝制備,“受體層與體異質(zhì)結(jié)(BHJ)層之間”和“體異質(zhì)結(jié)(BHJ)層與供體層之間”均為范德瓦爾斯接觸。該結(jié)構(gòu)能夠有效降低暗電流,并提升器件的比探測率(D*)和信噪比。相比傳統(tǒng)BHJ結(jié)構(gòu),本發(fā)明在維持高光響應(yīng)性能的同時,顯著改善暗電流抑制能力,具備更優(yōu)的綜合光電性能。該技術(shù)方案適用于高靈敏度光電探測、近紅外成像、低功耗生物信號監(jiān)測及光無線通信等應(yīng)用領(lǐng)域。

      技術(shù)研發(fā)人員:王軍,郭磊,何美譽,韓興偉,韓超,韓嘉悅
      受保護的技術(shù)使用者:電子科技大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2025/6/30
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