本公開的多種實(shí)施例總體上涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種包括三維存儲單元的半導(dǎo)體器件以及用于制造該半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
1、近來，為了應(yīng)對存儲器件的大容量和小型化的需求，提出了一種包括以三維堆疊的多個存儲單元的三維(3d)存儲器件。3d存儲器件總體來說比較新，需要進(jìn)一步的改進(jìn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的實(shí)施例涉及一種包括高度集成的存儲單元的3d半導(dǎo)體器件(下文中簡稱為半導(dǎo)體器件)以及用于制造該半導(dǎo)體器件的方法。
2、根據(jù)本公開的實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：通過在下結(jié)構(gòu)之上順序形成第一堆疊、凹陷目標(biāo)層和第二堆疊來形成包括第一區(qū)和第二區(qū)的堆疊體；在第一區(qū)中形成犧牲隔離層；在第一區(qū)中形成多個垂直開口；在第二區(qū)中形成多個焊盤隔離開口；通過垂直開口和焊盤隔離開口從第一區(qū)和第二區(qū)去除第一堆疊和第二堆疊；以及通過使堆疊體的凹陷目標(biāo)層凹陷來在第一區(qū)和第二區(qū)中的每一個中形成初步水平層。
3、根據(jù)本公開的另一個實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：下結(jié)構(gòu)；垂直堆疊，包括從下結(jié)構(gòu)垂直堆疊的水平導(dǎo)線；階梯狀堆疊，其從垂直堆疊水平延伸并包括水平導(dǎo)線的邊緣部分；線形焊盤隔離縫隙，其形成在階梯狀堆疊的兩個側(cè)壁表面上；以及孔狀焊盤隔離縫隙，其穿透階梯狀堆疊且在水平導(dǎo)線堆疊的方向上垂直延伸。
4、根據(jù)本公開的另一個實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，其包括連接區(qū)和存儲單元區(qū)；垂直位線，在垂直于襯底的頂表面的第一方向上延伸且在存儲單元區(qū)中設(shè)置為彼此間隔開；水平層，在襯底之上堆疊為彼此間隔開，在與第一方向交叉的第二方向上延伸，且電連接到垂直位線；字線，其與水平層重疊且在第三方向上延伸，并在連接區(qū)中提供階梯狀焊盤區(qū)；以及數(shù)據(jù)儲存元件，其電連接到水平層。
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述水平導(dǎo)線包括彼此垂直面對的雙水平導(dǎo)線，所述水平層介于其間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述數(shù)據(jù)儲存元件包括電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一水平導(dǎo)線和所述第二水平導(dǎo)線的所述邊緣部分包括階梯狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述水平層包括單晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述水平層的截面具有十字形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一堆疊和所述第二堆疊中的每一個均是通過順序堆疊第一硅鍺層、單晶硅層和第二硅鍺層來形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一堆疊和所述第二堆疊中的每一個均是通過將第一硅鍺層、第一單晶硅層和第二硅鍺層按所提及的順序進(jìn)行順序堆疊來形成的，以及
13.一種半導(dǎo)體器件，包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述線形焊盤隔離縫隙和所述孔狀焊盤隔離縫隙包括介電材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述垂直堆疊包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述水平層包括單晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料或其組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個所述水平導(dǎo)線包括上水平線和下水平線垂直設(shè)置的雙重結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述階梯狀堆疊的所述水平導(dǎo)線的每個所述邊緣部分包括