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      一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置

      文檔序號:42326935發布日期:2025-07-01 19:46閱讀:18來源:國知局

      本發明涉及超導同步調相機,具體涉及一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置。


      背景技術:

      1、在高溫超導轉子磁體中,現階段主要是在轉子軸向位置上設置支撐結構,即把徑向需要的支撐分解到軸向上,這樣在徑向上就可以減少支撐結構的布置,但是會導致轉子的長度較長,同時軸向的支撐對于抵抗高轉速帶來的離心力效果比較差,長度太長中間的超導磁體部分容易受到振動影響,不利于保護超導磁體和調控動平衡,合適的軸向長度可以有效增加轉子整體的機械強度。

      2、目前,常通過加強筋和骨架來提供一部分支撐的作用,但由于結構較為簡單,且剛性較強,使得其支撐效果較好,但是緩沖效果較差。


      技術實現思路

      1、為解決以上技術問題,本發明提供一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,本發明所采用的技術方案是:

      2、一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,包括轉子外殼,所述轉子外殼的內部固定連接有轉子本體,所述轉子本體的外表面上活動連接有多個抵接塊,抵接塊的凹面與轉子本體的外部曲線貼合,多個抵接塊關于轉子本體的圓周均勻分布。

      3、每個所述抵接塊與轉子外殼的內壁之間均設置有分級緩沖機構,所述分級緩沖機構包括一級緩沖組件、二級緩沖組件。

      4、所述一級緩沖組件包括固定連接于抵接塊上的底部安裝橫板,所述底部安裝橫板上固定連接有伸縮桿,所述伸縮桿的另一端通過頂部安裝橫板與二級緩沖組件固定連接,所述伸縮桿的外表面上套設有緩沖墊片。

      5、本發明技術方案的進一步改進在于:所述底部安裝橫板上固定連接有底部抵接桿,所述頂部安裝橫板上固定連接有頂部抵接桿,底部抵接桿、頂部抵接桿對齊設置。

      6、本發明技術方案的進一步改進在于:所述二級緩沖組件包括固定連接于頂部安裝橫板上的底板,所述底板的外表面上固定連接有彈性緩沖弧板,所述彈性緩沖弧板的頂端內側固定連接有頂板。

      7、本發明技術方案的進一步改進在于:所述彈性緩沖弧板發生彈性形變受到的作用力,大于使底部抵接桿、頂部抵接桿抵接時,緩沖墊片被壓縮受到的力的作用。

      8、本發明技術方案的進一步改進在于:所述底板的內壁固定連接有滑桿,所述滑桿的一端固定連接有活塞板,所述滑桿、活塞板的外部活動連接有滑套,所述滑套的一端與頂板的內壁固定連接。

      9、本發明技術方案的進一步改進在于:所述頂板、滑套上開設有氣孔,所述氣孔中安裝有電控閥門,所述頂板的外表面上固定連接有儲氣倉,氣孔與儲氣倉內部連通,儲氣倉的頂部與轉子外殼的內壁固定連接。

      10、本發明技術方案的進一步改進在于:所述電控閥門的外部電性連接有兩個閥門導線,每個閥門導線的一端均電性連接有連通觸頭,所述連通觸頭固定連接于滑套的內壁上,所述滑桿的內部固定連接有儲電裝置,所述儲電裝置上電性連接有正極導線、負極導線,所述正極導線、負極導線的一端均電性連接有電源觸頭,電源觸頭固定連接于活塞板上,所述活塞板、電源觸頭沿滑套內壁滑動。

      11、本發明技術方案的進一步改進在于:活塞板沿著滑套內壁滑動,未與連通觸頭抵接時,滑套內部氣體被壓縮,滑桿與滑套之間無法繼續發生相對位移,即彈性緩沖弧板不能繼續被壓縮,當電控閥門打開,滑套中被壓縮氣體進入儲氣倉中,使得滑桿與滑套之間可以繼續發生相對位移,即彈性緩沖弧板被繼續壓縮,使其發生彈性形變。

      12、本發明技術方案的進一步改進在于:所述轉子外殼為杜瓦材料。

      13、由于采用了上述技術方案,本發明相對現有技術來說,取得的技術進步是:

      14、1、本發明提供一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,當作用力較小時,通過抵接塊對底部安裝橫板產生作用力,使得伸縮桿、緩沖墊片被壓縮,緩沖墊片發生彈性形變,緩沖墊片具有恢復形變的特點,因此會產生反向的作用力,形成第一級的緩沖支撐作用。

      15、2、本發明提供一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,當作用力較大時,底部抵接桿、頂部抵接桿抵接后,力的作用可以使彈性緩沖弧板發生彈性形變,從而形成第二級的支撐緩沖作用,同時底板、頂板相互靠近,滑桿、活塞板沿著滑套內壁滑動,對滑套內部氣體進出壓縮,直至滑桿、活塞板與滑套之間不能發生相對位移,此時第二級的支撐緩沖作用達到最強。

      16、3、本發明提供一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,當作用力進一步增大時,活塞板帶動電源觸頭沿滑套內壁移動至于連通觸頭抵接時,電控閥門與儲電裝置之間的電路連通,使得電控閥門保持打開狀態,滑套中被壓縮的氣體經氣孔進入到儲氣倉中,使得滑桿、活塞板可沿著滑套的內壁繼續滑動,使得彈性緩沖弧板繼續被壓縮,發生更大的形變,產生更強的反向作用力,此時為第三級的支撐緩沖效果。

      17、4、本發明提供一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,轉子本體發生動不平衡時,高速轉動產生的離心力通過抵接塊對分級緩沖機構產生不同的力的作用,根據不同大小的作用力,通過一級緩沖組件、二級緩沖組件形成不同的支撐作用和緩沖減震作用,避免出現因材料剛性較強,使得其支撐效果較好,但是緩沖效果較差的問題。



      技術特征:

      1.一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,包括轉子外殼(1),所述轉子外殼(1)的內部固定連接有轉子本體(2),其特征在于:所述轉子本體(2)的外表面上活動連接有多個抵接塊(3),抵接塊(3)的凹面與轉子本體(2)的外部曲線貼合,多個抵接塊(3)關于轉子本體(2)的圓周均勻分布;

      2.根據權利要求1所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述底部安裝橫板(4)上固定連接有底部抵接桿(5),所述頂部安裝橫板(9)上固定連接有頂部抵接桿(8),底部抵接桿(5)、頂部抵接桿(8)對齊設置。

      3.根據權利要求2所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述二級緩沖組件包括固定連接于頂部安裝橫板(9)上的底板(10),所述底板(10)的外表面上固定連接有彈性緩沖弧板(12),所述彈性緩沖弧板(12)的頂端內側固定連接有頂板(11)。

      4.根據權利要求3所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述彈性緩沖弧板(12)發生彈性形變受到的作用力,大于使底部抵接桿(5)、頂部抵接桿(8)抵接時,緩沖墊片(7)被壓縮受到的力的作用。

      5.根據權利要求3所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述底板(10)的內壁固定連接有滑桿(13),所述滑桿(13)的一端固定連接有活塞板(15),所述滑桿(13)、活塞板(15)的外部活動連接有滑套(14),所述滑套(14)的一端與頂板(11)的內壁固定連接。

      6.根據權利要求5所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述頂板(11)、滑套(14)上開設有氣孔,所述氣孔中安裝有電控閥門(16),所述頂板(11)的外表面上固定連接有儲氣倉(17),氣孔與儲氣倉(17)內部連通,儲氣倉(17)的頂部與轉子外殼(1)的內壁固定連接。

      7.根據權利要求6所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述電控閥門(16)的外部電性連接有兩個閥門導線(23),每個閥門導線(23)的一端均電性連接有連通觸頭(22),所述連通觸頭(22)固定連接于滑套(14)的內壁上,所述滑桿(13)的內部固定連接有儲電裝置(18),所述儲電裝置(18)上電性連接有正極導線(19)、負極導線(20),所述正極導線(19)、負極導線(20)的一端均電性連接有電源觸頭(21),電源觸頭(21)固定連接于活塞板(15)上,所述活塞板(15)、電源觸頭(21)沿滑套(14)內壁滑動。

      8.根據權利要求7所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:活塞板(15)沿著滑套(14)內壁滑動,未與連通觸頭(22)抵接時,滑套(14)內部氣體被壓縮,滑桿(13)與滑套(14)之間無法繼續發生相對位移,即彈性緩沖弧板(12)不能繼續被壓縮,當電控閥門(16)打開,滑套(14)中被壓縮氣體進入儲氣倉(17)中,使得滑桿(13)與滑套(14)之間繼續發生相對位移,即彈性緩沖弧板(12)被繼續壓縮,使其發生彈性形變。

      9.根據權利要求1所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:所述轉子外殼(1)為杜瓦材料。

      10.根據權利要求2所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:多個緩沖墊片(7)的厚度與底部安裝橫板(4)、頂部安裝橫板(9)之間的距離相同。

      11.根據權利要求1所述的一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,其特征在于:緩沖墊片(7)采用具有橡膠、硅膠或聚氨酯制成。


      技術總結
      本發明公開了一種高溫超導轉子磁體徑向支撐裝置,涉及超導同步調相機技術領域,包括轉子外殼,所述轉子外殼的內部固定連接有轉子本體,所述轉子本體的外表面上活動連接有多個抵接塊,抵接塊的凹面與轉子本體的外部曲線貼合,多個抵接塊關于轉子本體的圓周均勻分布。本發明當作用力較大時,底部抵接桿、頂部抵接桿抵接后,力的作用可以使彈性緩沖弧板發生彈性形變,從而形成第二級的支撐緩沖作用,同時底板、頂板相互靠近,滑桿、活塞板沿著滑套內壁滑動,對滑套內部氣體進出壓縮,直至滑桿、活塞板與滑套之間不能發生相對位移,此時第二級的支撐緩沖作用達到最強。

      技術研發人員:陳鑫,王磊,王聰,陳功軒,王暉,王秋良
      受保護的技術使用者:中國科學院電工研究所
      技術研發日:
      技術公布日:2025/6/30
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