本技術(shù)涉及引線框架，尤其是涉及一種ipm模塊引線框架。
背景技術(shù)：
1、智能功率模塊(ipm)采用功率開關(guān)器件igbt（絕緣柵雙極型晶體管），具有g(shù)tr(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn)，以及mosfet(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點(diǎn)。ipm內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護(hù)電路，使用方便，不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間，也大大增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(pic)，在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。
2、在ipm模塊引線框架中，引線框架上會設(shè)置多個基島，基島承擔(dān)對裸芯片的機(jī)械固定、電連接與散熱等功能，公開號為cn115346973a的現(xiàn)有技術(shù)中，開關(guān)單元通過錫膏a直接焊接到導(dǎo)電層的正面上。在實(shí)際生產(chǎn)過程中，開關(guān)單元等芯片體在焊接到導(dǎo)電層時，為了避免芯片體與導(dǎo)電層之間焊接區(qū)域產(chǎn)生空隙，焊料通常大于實(shí)際的需要，這就會導(dǎo)致多余的焊料會外溢到導(dǎo)電層的背面，使得導(dǎo)電層的背面不平整而導(dǎo)致注塑過程中出現(xiàn)不合格的現(xiàn)象，導(dǎo)致該ipm模塊的報廢，使得ipm模塊的生產(chǎn)合格率降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了改善多余的焊料會外溢到導(dǎo)電層的背面，導(dǎo)致該ipm模塊的報廢，使得ipm模塊的生產(chǎn)合格率降低的問題，本技術(shù)提供一種ipm模塊引線框架。
2、本技術(shù)提供的一種ipm模塊引線框架采用如下的技術(shù)方案：
3、一種ipm模塊引線框架，包括：
4、基島，所述基島用于連接裸芯片，并為裸芯片提供機(jī)械支撐；
5、導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板設(shè)置在所述基島內(nèi)，所述導(dǎo)電基板的正面作為與裸芯片焊接的焊接面；
6、引腳，所述引腳與所述導(dǎo)電基板連接，以能夠與裸芯片之間形成通路；
7、導(dǎo)料槽，所述導(dǎo)料槽設(shè)置在所述導(dǎo)電基板的焊接面上，所述導(dǎo)料槽設(shè)置在焊料由焊接區(qū)域向所述導(dǎo)電基板邊緣流動的流動路徑上，并能夠承接焊料，以及引導(dǎo)焊料沿著所述導(dǎo)料槽的延伸方向流動。
8、通過采用上述技術(shù)方案，在將裸芯片焊接到導(dǎo)電基板上的過程中，導(dǎo)料槽對由焊接區(qū)域流向?qū)щ娀暹吘壍亩嘤嗪噶线M(jìn)行阻攔，焊料流入導(dǎo)料槽，并沿著導(dǎo)料槽的流動，從而能夠有效避免焊料外溢至導(dǎo)電基板的背面，而導(dǎo)致ipm模塊報廢的情況發(fā)生，從而提高ipm模塊的生產(chǎn)合格率，并減小資源的浪費(fèi)，具有更好的經(jīng)濟(jì)型。
9、優(yōu)選的，所述導(dǎo)料槽沿著所述焊接面上的焊接區(qū)域外設(shè)置至少一圈。
10、通過采用上述技術(shù)方案，利用導(dǎo)料槽沿著焊接區(qū)域的三百六十度周向設(shè)置，能更有效地阻攔由焊接區(qū)域流向?qū)щ娀暹吘壍亩嘤嗪噶?，使多余焊料充分流入?dǎo)料槽，進(jìn)一步避免焊料外溢至導(dǎo)電基板背面，提升對ipm模塊報廢情況的防控效果。
11、優(yōu)選的，所述導(dǎo)料槽沿著所述焊接面上的焊接區(qū)域外設(shè)置一圈，且所述導(dǎo)料槽的首尾相連形成封閉結(jié)構(gòu)。
12、通過采用上述技術(shù)方案，利用導(dǎo)料槽的封閉結(jié)構(gòu)，使得從任意位置流入導(dǎo)料槽的焊料均能夠沿著導(dǎo)料槽的方向流動，能全方位阻攔由焊接區(qū)域流向?qū)щ娀暹吘壍亩嘤嗪噶?，從而提高?dǎo)料槽對焊料流動的阻攔效果。
13、優(yōu)選的，所述導(dǎo)電基板的背面為散熱面，所述散熱面能夠露出塑封體，裸芯片產(chǎn)生的熱量能夠通過所述導(dǎo)電基板引導(dǎo)至所述散熱面，并通過所述散熱面向外界散熱。
14、通過采用上述技術(shù)方案，將導(dǎo)電基板的背面直接作為散熱面，導(dǎo)電基板作為散熱板且散熱面能露出塑封體，可將裸芯片產(chǎn)生的熱量引導(dǎo)至散熱面并向外散熱，有利于裸芯片的散熱。
15、優(yōu)選的，所述導(dǎo)電基板上設(shè)有能夠與塑封體接觸的連接面，所述連接面上開設(shè)有供塑封體的注塑料填充的密封槽。
16、通過采用上述技術(shù)方案，密封槽供塑封體的注塑料填充，增大導(dǎo)電基板與塑封體之間的連接面積，使導(dǎo)電基板與塑封體的連接更緊密，增強(qiáng)了結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，同時增大了導(dǎo)電基板與塑封體之間的密閉性，可防止雜質(zhì)、水汽等進(jìn)入導(dǎo)電基板與塑封體的連接部位，提高了ipm模塊引線框架的可靠性。
17、優(yōu)選的，所述密封槽位于所述散熱面與所述連接面的連接處，并延伸至所述散熱面上。
18、通過采用上述技術(shù)方案，密封槽位于散熱面與連接面的連接處并延伸至散熱面，使塑封體的注塑料能更好地填充密封槽，增強(qiáng)導(dǎo)電基板與塑封體之間的連接緊密性。同時，密封槽的設(shè)置能夠清除導(dǎo)電基板拐角處的毛刺，避免因毛刺而導(dǎo)致導(dǎo)電基板與注塑體之間存在間隙的現(xiàn)象的發(fā)生，提高導(dǎo)電基板與注塑體連接的密封性。
19、優(yōu)選的，所述引腳與所述導(dǎo)電基板上之間通過連接部連接，所述連接部上設(shè)有支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)能夠與塑封體形成所述引腳的抗拉支撐。
20、通過采用上述技術(shù)方案，引腳與導(dǎo)電基板通過連接部連接，連接部上的支撐結(jié)構(gòu)能與塑封體形成引腳的抗拉支撐，增強(qiáng)了引腳的穩(wěn)定性，可防止引腳在彎折時，因受到拉力而導(dǎo)致與注塑體之間產(chǎn)生松動的情況發(fā)生，保證了ipm模塊引線框架電氣連接的可靠性，有利于提高ipm模塊的質(zhì)量和使用壽命。
21、優(yōu)選的，還包括支撐條，所述支撐條的部分能夠插入塑封體，已形成對塑封體的支撐，所述支撐條上設(shè)有供塑封體的注塑料填充的支撐孔，所述支撐條外伸塑封體的部分上開設(shè)有減薄槽，以能夠通過所述減薄槽切斷所述支撐條。
22、通過采用上述技術(shù)方案，在對ipm模塊進(jìn)行單元化切割時，利用支撐條對塑封體的支撐，能夠避免引腳在切斷時出現(xiàn)斷裂的情況，提高ipm模塊單元化切割的質(zhì)量。在對支撐條進(jìn)行切斷時，切割刀具可以沿著減薄槽進(jìn)行切割，減薄槽的設(shè)置能夠減小切割刀具切割厚度，提高支撐條切割的便利性，同時，減小切割刀具的磨損，提高切割刀具的使用壽命。
23、優(yōu)選的，所述散熱面上設(shè)有若干導(dǎo)電體，若干所述導(dǎo)電體間隔設(shè)置，并在相鄰兩個所述導(dǎo)電體之間形成散熱通道，所述導(dǎo)電體上設(shè)有絕緣導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)電體能夠?qū)⒖諝庵械碾s質(zhì)靜電吸附到所述絕緣導(dǎo)熱層上。
24、通過采用上述技術(shù)方案，在散熱面上設(shè)置間隔排列的導(dǎo)電體形成散熱通道可增強(qiáng)散熱能力，空氣進(jìn)入散熱通道與散熱面之間進(jìn)行換熱，在這個過程中，導(dǎo)電體將進(jìn)入散熱通道內(nèi)與散熱面進(jìn)行換熱的空氣中的雜質(zhì)進(jìn)行靜電吸附，減少雜質(zhì)附著在散熱面上而影響散熱，進(jìn)一步提高散熱效率。雜質(zhì)被吸附到絕緣導(dǎo)熱層上，能夠避免雜質(zhì)與導(dǎo)電體直接接觸，進(jìn)而導(dǎo)致導(dǎo)電基板的電阻增大、發(fā)熱增大現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高ipm模塊的散熱效果。
25、優(yōu)選的，所述導(dǎo)電體上開設(shè)有連通孔，以使得相鄰兩個所述散熱通道之間通過所述連通孔連通設(shè)置。
26、通過采用上述技術(shù)方案，相鄰兩個散熱通道之間通過連通孔連通設(shè)置，使得散熱通道內(nèi)的空氣能夠相互流動，增大散熱通道內(nèi)空氣的湍動程度，提高ipm模塊散熱效果。
27、綜上所述，本技術(shù)包括以下至少一種有益技術(shù)效果：
28、1.在將裸芯片焊接到導(dǎo)電基板上時，導(dǎo)料槽能對由焊接區(qū)域流向?qū)щ娀暹吘壍亩嘤嗪噶线M(jìn)行阻攔，引導(dǎo)焊料沿著導(dǎo)料槽流動，避免焊料外溢至導(dǎo)電基板背面，防止因背面不平整導(dǎo)致注塑不合格使ipm模塊報廢，提高ipm模塊生產(chǎn)合格率；
29、2.避免ipm模塊報廢，可減小資源的浪費(fèi)，具有更好的經(jīng)濟(jì)性；
30、3.導(dǎo)電基板的散熱面能露出塑封體，可將裸芯片產(chǎn)生的熱量引導(dǎo)至散熱面并向外散熱，有利于裸芯片的散熱。