本公開涉及一種像素電路，且特別涉及用以改善異地修補的顯示面板的視覺效果的一種像素電路。
背景技術：
1、微發光二極管(micro?led)可以自主發光，不須背光模塊或液晶層，不僅省電，更具有高效率、高亮度、高分辨率、高色彩飽和度及反應時間快等特點，且還具低耗能、機構簡易、體積小、薄型等優勢，使得微發光二極管顯示器被視為下一代主流顯示器產品的熱門技術之一。
2、由于微發光二極管的工藝良率無法達到完美，經過檢測后，會有部分的微發光二極管無法發光或是其發光表現不如預期，而形成顯示器的壞點。一般而言，會經過一修補程序，以逐一將這些壞點上的微發光二極管剔除，并逐一設置修補用微發光二極管至這些壞點的原本位置上。然而，若未將原本位置的微發光二極管完整移除且將原本位置的接點完全抹平，則容易造成修補良率不佳的問題。
3、而另一種做法是將修補用微發光二極管設置于壞點的原本位置的附近但不重疊于壞點的原本位置，然而，這種做法會因為修補用微發光二極管相對于壞點的原本位置有所位移，造成顯示畫面上會有視效亮區及視效暗區的現象，加上康士維錯覺(cornsweetillusion)的影響，會在顯示畫面上產生明顯的對比差異，甚至有立體感出現，大幅影響視覺效果。如圖1所示的示意圖，顯示器包括多個發光元件110、壞點發光元件120與壞點發光元件120的修補用發光元件130(修補用發光元件130用以替代壞點發光元件120)，因為修補用發光元件130相對于壞點發光元件120的位置有所位移，造成視效亮區及視效暗區的現象。
技術實現思路
1、本公開至少一實施例提供一種像素電路，包括發光元件、修補用發光元件、驅動電路、第一發光控制晶體管與第二發光控制晶體管。驅動電路耦接發光元件與修補用發光元件以分別驅動發光元件與修補用發光元件發光。第一發光控制晶體管串聯耦接于驅動電路與發光元件之間以控制發光元件的發光與否。第二發光控制晶體管串聯耦接于驅動電路與修補用發光元件之間以控制修補用發光元件的發光與否。于像素電路的發光期間，通過驅動電路或通過第一與第二發光控制晶體管，以使得修補用發光元件的發光亮度低于發光元件的發光亮度。
2、在本公開至少一實施例中，于像素電路的發光期間，修補用發光元件的發光亮度為發光元件的發光亮度的0.3倍至0.5倍。
3、在本公開至少一實施例中，于像素電路的發光期間，修補用發光元件的發光時間長度為發光元件的發光時間長度的0.3倍至0.5倍。
4、在本公開至少一實施例中，于像素電路的發光期間，流經修補用發光元件的驅動電流為流經發光元件的驅動電流的0.3倍至0.5倍。
5、在本公開至少一實施例中，上述驅動電路為一驅動晶體管，第一發光控制晶體管受控于第一發光控制信號，第二發光控制晶體管受控于第二發光控制信號，于像素電路的發光期間，第二發光控制信號的致能時間長度小于第一發光控制信號的致能時間長度。
6、在本公開至少一實施例中，于像素電路的發光期間，第二發光控制信號的致能時間長度為第一發光控制信號的致能時間長度的0.3倍至0.5倍。
7、在本公開至少一實施例中，上述驅動電路由第一驅動晶體管與第二驅動晶體管所組成，第一驅動晶體管串聯耦接第一發光控制晶體管，第二驅動晶體管串聯耦接第二發光控制晶體管，第二驅動晶體管的寬長比小于第一驅動晶體管的寬長比。
8、在本公開至少一實施例中，上述第二驅動晶體管的寬長比為第一驅動晶體管的寬長比的0.3倍至0.5倍。
9、在本公開至少一實施例中，上述像素電路還包括第三發光控制晶體管，串聯耦接于驅動電路與發光元件之間以控制發光元件的發光與否。第一發光控制晶體管與第二發光控制晶體管受控于第一發光控制信號，第三發光控制晶體管受控于第二發光控制信號，于像素電路的發光期間，第二發光控制信號的致能時間長度相同于第一發光控制信號的致能時間長度，且第二發光控制信號的致能期間不同且亦不重疊于第一發光控制信號的致能期間。
10、在本公開至少一實施例中，上述像素電路還包括第四發光控制晶體管，串聯耦接于驅動電路與發光元件之間以控制發光元件的發光與否。第四發光控制晶體管受控于第三發光控制信號，于像素電路的發光期間，第三發光控制信號的致能時間長度相同于第一與第二發光控制信號的致能時間長度，且第三發光控制信號的致能期間不同且亦不重疊于第一與第二發光控制信號的致能期間。
11、在本公開至少一實施例中，上述發光元件與修補用發光元件皆為微發光二極管。
12、在本公開至少一實施例中，上述像素電路被配置于顯示面板中，顯示面板包括正常像素與壞點像素，正常像素包括發光元件，壞點像素包括設置位置不同的壞點發光元件與修補用發光元件，修補用發光元件用以替代壞點發光元件以實現顯示面板的修補。
13、在本公開至少一實施例中，上述修補用發光元件與壞點發光元件之間的間距為顯示面板的像素間距(pixelpitch)的30％至50％。
14、在本公開至少一實施例中，上述顯示面板的像素間距為78微米至170微米。
15、在本公開至少一實施例中，上述顯示面板的像素密度為150每英寸像素(pixelsperinch，ppi)至326每英寸像素。
16、為讓本公開的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合說明書附圖作詳細說明如下。
1.一種像素電路，包括：
2.如權利要求1所述的像素電路，其中，于該像素電路的發光期間，該修補用發光元件的發光亮度為該發光元件的發光亮度的0.3倍至0.5倍。
3.如權利要求1所述的像素電路，其中，于該像素電路的發光期間，該修補用發光元件的發光時間長度為該發光元件的發光時間長度的0.3倍至0.5倍。
4.如權利要求1所述的像素電路，其中，于該像素電路的發光期間，流經該修補用發光元件的驅動電流為流經該發光元件的驅動電流的0.3倍至0.5倍。
5.如權利要求1所述的像素電路，其中該驅動電路為一驅動晶體管，該第一發光控制晶體管受控于一第一發光控制信號，該第二發光控制晶體管受控于一第二發光控制信號，其中，于該像素電路的發光期間，該第二發光控制信號的致能時間長度小于該第一發光控制信號的致能時間長度。
6.如權利要求5所述的像素電路，其中于該像素電路的發光期間，該第二發光控制信號的致能時間長度為該第一發光控制信號的致能時間長度的0.3倍至0.5倍。
7.如權利要求1所述的像素電路，其中該驅動電路由一第一驅動晶體管與一第二驅動晶體管所組成，該第一驅動晶體管串聯耦接該第一發光控制晶體管，該第二驅動晶體管串聯耦接該第二發光控制晶體管，其中該第二驅動晶體管的寬長比小于該第一驅動晶體管的寬長比。
8.如權利要求7所述的像素電路，其中該第二驅動晶體管的寬長比為該第一驅動晶體管的寬長比的0.3倍至0.5倍。
9.如權利要求1所述的像素電路，還包括：
10.如權利要求9所述的像素電路，還包括：
11.如權利要求1所述的像素電路，其中該發光元件與該修補用發光元件皆為微發光二極管。
12.如權利要求1所述的像素電路，其中該像素電路被配置于一顯示面板中，該顯示面板包括一正常像素與一壞點像素，該正常像素包括該發光元件，該壞點像素包括設置位置不同的一壞點發光元件與該修補用發光元件，該修補用發光元件用以替代該壞點發光元件以實現該顯示面板的修補。
13.如權利要求12所述的像素電路，其中該修補用發光元件與該壞點發光元件之間的間距為該顯示面板的像素間距的30％至50％。
14.如權利要求12所述的像素電路，其中該顯示面板的像素間距為78微米至170微米。
15.如權利要求12所述的像素電路，其中該顯示面板的像素密度為150每英寸像素至326每英寸像素。