技術(shù)編號：42327323

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本申請屬于半導(dǎo)體設(shè)計與生產(chǎn)，尤其涉及一種柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)、方法、裝置和計算機設(shè)備。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，柵氧化層的厚度也越來越小，該參數(shù)對器件性能有著很大的影響，因此工藝上對柵氧化層物理厚度的精準控制要求很嚴格，相應(yīng)的有效且準確的監(jiān)控對于工藝能力的判斷就顯得尤為重要。、通常，監(jiān)控柵氧化層厚度的方法一般是在柵氧化層沉積工藝完成后利用光學(xué)方法測量厚度，在實際工藝過程中柵氧化層在沉積后的其他工藝過程中可能發(fā)生重新生長的現(xiàn)象，導(dǎo)致最終的柵氧化層比剛沉積完時的厚...
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