技術編號:42324486
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體領域,尤其涉及一種存儲器及其控制方法、電子設備。背景技術、隨著半導體技術的發展,半導體存儲器被廣泛地應用于電子裝置中。動態隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory,dram)屬于一種揮發性存儲器,動態隨機存取存儲器因為存取速度快,常用來作為高速緩沖存儲器(cache)。、動態隨機存取存儲器主要包括外圍電路(periphery)和存儲陣列(core)兩部分,為了進一步提高存儲密度,三維dram(d?dram)將外圍電路(periphery)和存...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術無源代碼,用于學習原理,如您想要源代碼請勿下載。