技術編號：42320224
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開的示例實施例涉及半導體存儲器裝置，并且更具體地，涉及包括屏蔽線的存儲器裝置和控制其屏蔽電壓的方法。背景技術、半導體存儲器可主要被分類為易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器（例如，動態隨機存取存儲器（dram）或靜態隨機存取存儲器（sram））的讀取速度和寫入速度快，但是存儲在易失性存儲器中的數據在電力被關斷時消失。相反，即使在電力被關斷時，非易失性存儲器也可保留數據。因此，非易失性存儲器可用于存儲無論是否供電都必須保存的內容。、易失性存儲器裝置的代表性示例是dram。易失性存儲器...
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