技術編號：42316308
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造，尤其涉及一種具有預埋腔的基板及其制備方法。背景技術、具有預埋腔的的基板，例如具有預埋腔的soi(cavity?soi，c-soi)基板是一種在傳統soi(silicon-on-insulator，絕緣體上硅)基礎上進一步創新的先進技術，其核心特征是在支撐襯底晶圓中集成了預刻蝕的腔體結構。具有預埋腔的基板技術的應用mems器件(例如壓力傳感器件)的制造帶來了顯著的優勢：通過在基板制造過程中直接集成所需的埋腔結構，不僅簡化了制造流程，還避免了傳統工藝中復雜的襯底內腔體刻蝕步驟...
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