技術編號：42268337
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于傳感器相關的，更具體地，涉及一種耐高溫mems壓力傳感器芯片及其封裝結構。背景技術、隨著mems技術的發展，微壓力傳感器市場迅速拓展，但隨之也面臨一個問題——高溫環境下的器件穩定性、可靠性和精度等特性，傳統的壓力傳感器在超過℃環境下使用時，會由于內部pn結出現漏電而導致傳感器性能急劇下降，進而導致失效。而工業、航天航空等領域使用的壓力傳感器需要滿足個基本需求：高溫和高可靠性。對mems高溫壓力傳感器最基本的需求是在至少℃環境下工作。而隨著傳感器工作溫度的升高，由于漏電流...
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