本公開內容涉及一種顯示設備，其中每個像素區域的驅動電路包括薄膜晶體管和存儲電容器。
背景技術：
1、通常，顯示設備向用戶提供圖像。例如，顯示設備可以包括諸如液晶、小型led、微型led和oled的顯示器件。顯示器件可以由驅動電路控制。例如，在顯示設備中，電連接到顯示器件的驅動電路可以設置在每個像素區域中。
2、驅動電路可以根據一幀的柵極信號向顯示器件提供與數據信號對應的驅動電流。例如，驅動電路可以包括薄膜晶體管和存儲電容器。然而，在顯示設備中，可能由于驅動電路的操作而產生熱量。由驅動電路的操作產生的熱量可以與由驅動電路產生的驅動電流成比例。因此，在顯示設備中，當驅動電路產生的驅動電流增大時，驅動電路的薄膜晶體管可能由于因驅動電路的操作產生的熱量而劣化。因此，在顯示設備中，當以高電流驅動時，驅動電路的可靠性可能降低。
技術實現思路
1、因此，本公開內容涉及一種基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的顯示設備。
2、本公開內容的目的是提供一種能夠穩定高電流驅動的顯示設備。
3、本公開內容的另一個目的是提供一種能夠最小化或減少由于驅動電路的操作引起的薄膜晶體管劣化的顯示設備。
4、本公開內容的另外的優點、目的和特征將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地對于本領域普通技術人員在研究以下內容時將變得顯而易見，或者可以從本公開內容的實踐中認識到。本公開內容的目的和其他優點可以通過在說明書及其權利要求以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
5、為了實現這些目的和其他優點并根據本公開內容的目的，如本文所體現和廣泛描述的，提供了一種包括驅動電路的顯示設備。驅動電路電連接到顯示器件。驅動電路包括薄膜晶體管和存儲電容器。薄膜晶體管包括并聯連接的多個子晶體管。每個子晶體管包括半導體圖案、柵電極、漏電極、源電極。存儲電容器包括子電容器，子電容器設置在沿第一方向間隔開的半導體圖案之間。
6、每個子晶體管的半導體圖案可以包括與相鄰子晶體管的半導體圖案相同的材料。
7、半導體圖案可以在第一方向和第二方向上并排設置。第二方向可以是垂直于第一方向的方向。在第二方向上相鄰的半導體圖案之間的距離可以與在第一方向上相鄰的半導體圖案之間的距離相同。
8、子電容器可以具有電容器電極的堆疊結構，電容器電極在第二方向上延伸。
9、每個子晶體管的柵電極、漏電極、源電極可以在第二方向上延伸。每個子晶體管的柵電極、漏電極、源電極可以與在第一方向上相鄰的子晶體管的柵電極、漏電極、源電極間隔開。
10、每個子晶體管的漏電極、源電極可以包括與對應子晶體管的柵電極相同的材料。
11、薄膜晶體管可以包括柵極連接線、漏極連接線和源極連接線。柵極連接線、漏極連接線和源極連接線可以在第一方向上延伸。每個子晶體管的柵電極可以電連接到柵極連接線。每個子晶體管的漏電極可以電連接到漏極連接線。每個子晶體管的源電極可以電連接到源極連接線。
12、驅動電路和顯示器件可以由器件基板支撐。遮光圖案可以設置在器件基板與每個子晶體管的半導體圖案之間。柵極連接線可以設置在與遮光圖案相同的層上。漏極連接線和源極連接線可以設置在與柵極連接線不同的層上。
13、每個子晶體管的半導體圖案可以設置在漏極連接線與源極連接線之間。柵極連接線可以沿著漏極連接線與半導體圖案之間以及半導體圖案與源極連接線之間延伸。子電容器可以具有第一電容器電極和第二電容器電極的堆疊結構。第一電容器電極可以電連接到柵極連接線。第二電容器電極可以電連接到源極連接線。
14、顯示器件可以包括設置在第一電極與第二電極之間的發光單元。發光單元可以包括至少一個發光材料層。
15、在另一個實施例中，提供了一種包括器件基板的顯示設備。第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管設置在器件基板的像素區域上。第二薄膜晶體管包括柵極連接線、漏極連接線、源極連接線和半導體圖案。第一薄膜晶體管電連接到第二薄膜晶體管的柵極連接線。第二薄膜晶體管的源極連接線電連接到顯示器件。半導體圖案在第一方向上間隔開。存儲電容器設置在第二薄膜晶體管的柵極連接線與源極連接線之間。存儲電容器包括子電容器。子電容器設置在沿第一方向上間隔開的半導體圖案之間。
16、半導體圖案可以在第二方向上間隔開。第二方向可以是垂直于第一方向的方向。每個半導體圖案和在第一方向上相鄰的半導體圖案可以在第二方向上交錯布置。
17、第二薄膜晶體管可以包括多個柵電極、多個漏電極和多個源電極。多個柵電極可以電連接到柵極連接線。多個漏電極可以電連接到漏極連接線。多個源電極可以電連接到源極連接線。每個柵電極可以與至少一個半導體圖案的溝道區域重疊。每個漏電極可以電連接到至少一個半導體圖案的漏極區域。每個源電極可以電連接到至少一個半導體圖案的源極區域。
18、漏電極可以設置在與漏極連接線相同的層上。源電極可以設置在與源極連接線相同的層上。柵電極可以設置在與柵極連接線不同的層上。
19、源極連接線可以設置在與柵極連接線不同的層上。子電容器可以具有第一電容器電極和第二電容器電極的堆疊結構。第一電容器電極可以設置在與柵極連接線相同的層上。第二電容器電極可以設置在與源極連接線相同的層上。
1.一種顯示設備，包括：
2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，每個子晶體管的半導體圖案在所述第一方向上與相鄰子晶體管的半導體圖案間隔開，
3.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述子電容器包括在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第一電容器電極和第二電容器電極。
4.根據權利要求3所述的顯示設備，其中，每個子晶體管包括在所述第二方向上彼此間隔開的多個半導體圖案，
5.根據權利要求3所述的顯示設備，其中，每個子晶體管的半導體圖案在所述第二方向上延伸。
6.根據權利要求3所述的顯示設備，其中，每個子晶體管的柵電極、漏電極、源電極在所述第二方向上延伸。
7.根據權利要求6所述的顯示設備，其中，所述薄膜晶體管還包括在所述第一方向上延伸的柵極連接線、漏極連接線、源極連接線，
8.根據權利要求7所述的顯示設備，還包括：
9.根據權利要求7所述的顯示設備，其中，所述多個子晶體管的半導體圖案在所述第二方向上設置在所述漏極連接線與所述源極連接線之間。
10.根據權利要求9所述的顯示設備，其中，所述柵極連接線在所述漏極連接線與所述多個子晶體管的半導體圖案之間延伸并且在所述多個子晶體管的半導體圖案與所述源極連接線之間延伸。
11.根據權利要求7所述的顯示設備，其中，所述第一電容器電極電連接到所述柵極連接線，所述第二電容器電極電連接到所述源極連接線。
12.根據權利要求11所述的顯示設備，其中，所述第一電容器電極設置在與所述柵極連接線相同的層上，
13.根據權利要求8所述的顯示設備，其中，所述遮光圖案與所述子電容器在所述第一方向上交替設置。
14.一種顯示設備，包括：
15.根據權利要求14所述的顯示設備，其中，所述多個半導體圖案還在所述第二方向上間隔開。
16.根據權利要求15所述的顯示設備，其中，其中，每個半導體圖案與在所述第一方向上相鄰的半導體圖案在所述第二方向上布置交錯。
17.根據權利要求14所述的顯示設備，其中，所述薄膜晶體管包括電連接到所述柵極連接線的多個柵電極、電連接到所述漏極連接線的多個漏電極、以及電連接到所述源極連接線的多個源電極，
18.根據權利要求17所述的顯示設備，其中，所述漏電極設置在與所述漏極連接線相同的層上，
19.根據權利要求14所述的顯示設備，其中，所述存儲電容器包括與所述柵極連接線電連接的第一電容器電極和與所述源極連接線電連接的第二電容器電極。
20.根據權利要求19所述的顯示設備，其中，所述源極連接線設置在與所述柵極連接線不同的層上，