本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤，尤其涉及一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。、在nand閃存存儲，數(shù)據(jù)存儲單元在完成寫入操作后，其電荷狀態(tài)易受環(huán)境溫度波動、工作電壓偏差及存儲時間推移等多重因素影響，導(dǎo)致電壓閾值(vt)發(fā)生偏移。這種物理特性變化將直接影響數(shù)據(jù)讀...

本發(fā)明涉及一種電子電路，該電子電路被適配成對形成該電子電路的一部分的浮柵存儲器結(jié)構(gòu)進行充電或讀取。、如圖中示意性地示出，電子電路包括至少一個電可擦除(ee)類型的存儲器結(jié)構(gòu)。該存儲器結(jié)構(gòu)可以包括至少一個浮柵mos晶體管fg以定義電容器。然而，該浮柵存儲器結(jié)構(gòu)取而代之由具有耦合電容cc的第一...

本公開涉及一種半導(dǎo)體芯片，其調(diào)整用于輸入到半導(dǎo)體芯片外部和從半導(dǎo)體芯片外部輸出的選通信號的延遲量。、通常，對存儲器芯片的訪問可以通過控制器進行。例如，在針對存儲器芯片的數(shù)據(jù)讀取開始之后，主機向控制器傳送讀取命令和地址。控制器從存儲器芯片讀取數(shù)據(jù)并將讀取數(shù)據(jù)傳送給主機。在針對存儲器芯片的數(shù)據(jù)...

示例實施例大體上涉及半導(dǎo)體集成電路，且更特定來說，涉及具有外圍上單元(cell?on?periphery，cop)結(jié)構(gòu)的存儲器核心電路及包括所述存儲器核心電路的存儲器設(shè)備。、由于期望高性能電子產(chǎn)品小型化和多功能，因此可以實現(xiàn)高度集成以提供高容量集成電路設(shè)備。隨著諸如動態(tài)隨機訪問存儲器(dr...

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種數(shù)據(jù)發(fā)送電路、數(shù)據(jù)接收電路及電子設(shè)備。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器被廣泛地應(yīng)用于電子裝置中。動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲器，動態(tài)隨機存取存儲器因為存取速度快，常用來作為高...

本發(fā)明涉及存儲器，尤其涉及多個eflash?ip并行工作的控制方法和系統(tǒng)。、flash是一種非易失性存儲器，不僅電可擦除可編程，而且在斷電期間數(shù)據(jù)不會丟失，并且靜態(tài)功耗極低。flash內(nèi)部是由晶體管構(gòu)成，將信息存儲在一個晶體管陣列中。這些晶體管一般組成或非門(nor)和與非門(nand)，...

本公開涉及憶阻器測試，更具體地涉及一種用于對憶阻器陣列進行測試的電路及測試方法。、阻變存儲器，又稱憶阻器。與傳統(tǒng)存儲器相比，阻變存儲器具有非易失性、存儲密度高等優(yōu)點。通過對阻變存儲器施加不同的電壓或電流進行可逆調(diào)控，實現(xiàn)不同阻值之間的切換，從而可以存儲信息。、在實現(xiàn)上述發(fā)明構(gòu)思的過程中，經(jīng)...

本公開內(nèi)容的一些實施例涉及在失配消除操作之后檢測字線和位線中的連接缺陷的半導(dǎo)體裝置及其測試方法。、通常，半導(dǎo)體裝置從半導(dǎo)體裝置外部接收電源電壓vdd和地電壓vss，以生成用于內(nèi)部操作的內(nèi)部電壓。用于半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部操作的電壓包括：供應(yīng)至存儲電路的核心區(qū)域的核心電壓vcore、用于驅(qū)動字線或...

本公開實施例涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種地址轉(zhuǎn)換電路。、在存儲器的使用過程中，往往會因為存儲單元或線路的工藝偏差導(dǎo)致出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫錯誤。這些錯誤不可能被完全避免，但是可以通過一些檢測及糾錯的方法來彌補，從而保證存儲器的正常使用。因此，存儲器中都設(shè)置有一些檢測及糾錯相關(guān)的電路，例如ecs(er...

本公開涉及存儲器技術(shù)，尤其涉及一種指令采樣電路及存儲器。、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，簡稱dram)是一種高速地、隨機地寫入和讀取數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器，被廣泛地應(yīng)用到數(shù)據(jù)存儲設(shè)備或裝置中。、實際應(yīng)用中，存儲器指令的信息可能需要通過多個周期進行...

本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲器。、芯片為了實現(xiàn)一些特定功能，需要對存儲器內(nèi)部的熔絲(fuse)進行編程，存儲各種修調(diào)值，測試模式值和行列冗余地址，并在上電時讀取到各個模塊的本地寄存器中。、熔絲編程時通常使用激光或大電流等方式進行燒斷，實際中往往出現(xiàn)無法燒斷或者誤燒斷的情況，導(dǎo)致熔絲內(nèi)...

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器及其控制方法、電子設(shè)備。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器被廣泛地應(yīng)用于電子裝置中。動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲器，動態(tài)隨機存取存儲器因為存取速度快，常用來作為高速緩沖存...

本技術(shù)涉及互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)，具體為一種互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)智能服務(wù)裝置。、互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)是指通過互聯(lián)網(wǎng)傳輸和存儲的各種類型的信息，包括文字、圖片、音頻、視頻等多種形式的數(shù)據(jù)。互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)的產(chǎn)生來源于用戶在互聯(lián)網(wǎng)上的各種活動和交互，如瀏覽網(wǎng)頁、社交媒體互動、在線購物、應(yīng)用程序使用等隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，...

本揭露關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置。、半導(dǎo)體裝置包括不同類型的記憶體，例如隨機存取記憶體(random-accessmemory，ram)、只讀記憶體(read-only?memory，rom)和電熔絲(electrical?fuse，efuse)記憶體。efuse記憶體是一種可程序化非揮發(fā)性記憶體...

本公開的示例實施例涉及半導(dǎo)體存儲器裝置，并且更具體地，涉及包括屏蔽線的存儲器裝置和控制其屏蔽電壓的方法。、半導(dǎo)體存儲器可主要被分類為易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器（例如，動態(tài)隨機存取存儲器（dram）或靜態(tài)隨機存取存儲器（sram））的讀取速度和寫入速度快，但是存儲在易失性存儲...

本公開的多種實施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，并且更具體地，涉及一種存儲器裝置及其測試方法。、當存儲器裝置中的存儲單元中發(fā)生缺陷時，使用多種技術(shù)來修復(fù)其中發(fā)生缺陷的存儲單元(以下稱為“缺陷單元”)。主要地，使用冗余修復(fù)技術(shù)(其中缺陷單元被正常存儲單元替代)和糾錯碼(ecc)技術(shù)(其中使用ecc...

本公開涉及但不限于一種命令信號采樣電路和存儲器。、在存儲器中，命令/地址信號(command/address)通過命令/地址傳輸線進行傳輸，片選信號(chip?select)可用于指示命令地址信號是否有效。然而，信號在傳輸過程中可能會出現(xiàn)延遲。如果片選信號發(fā)生延遲，導(dǎo)致前一個片選信號的有效...

本申請涉及性能測試，尤其涉及一種固態(tài)硬盤性能波動測試方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。、隨著非易失閃存（negative-and?flash，nand?flash）技術(shù)的快速發(fā)展，固態(tài)硬盤（solid?state?drive，ssd）的性能和可靠性成為市場競爭的關(guān)鍵因素。、由于固態(tài)硬盤的性能會受...

本申請涉及存儲器，特別是涉及一種存儲芯片和半導(dǎo)體測試系統(tǒng)。、存儲芯片是一種用來存放程序和數(shù)據(jù)的集成電路，可以包括sram（靜態(tài)隨機存取存儲器）、dram（動態(tài)隨機存儲器）、只讀存儲器、閃存等，隨著存儲芯片的應(yīng)用領(lǐng)域越來越多，用戶和生產(chǎn)方對存儲芯片的性能要求也越來越高。然而，對存儲芯片進行讀...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路的存儲器，具體涉及rram存內(nèi)計算陣列及其操作方法。、發(fā)明背景、傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)在人工智能時代遇到了“存儲墻”和“功耗墻”的問題。在實現(xiàn)計算過程中，由于存儲器和處理器的物理分隔，導(dǎo)致數(shù)據(jù)需要不斷搬移，不僅浪費時間，還帶來了額外功耗。存內(nèi)計算是指在存儲器中直接進行一...