示例涉及半導體器件、微機電系統和方法。
背景技術：
1、使用可偏轉膜的微機電結構(mems)可以被實現用于多種用例，諸如麥克風、揚聲器、壓力傳感器等。為了防止膜結構和與膜相鄰的另一結構之間的粘附，可以在膜結構與另一結構之間布置防粘元件。然而，在防粘元件的功能性與mems系統的結構完整性之間存在權衡。例如，小的防粘元件可以提供良好的防粘特性，但在使用期間可能會損壞膜。更寬的防粘元件可能根本不會損壞膜，但可能會帶來防粘特性降低的缺點。因此，可能需要一種改進的防粘元件。
技術實現思路
1、可以通過獨立權利要求的主題來滿足該需求。
2、本公開的一些方面涉及一種半導體器件，其包括柔性元件，該柔性元件被配置為將聲波轉換為柔性元件的位移。半導體器件還包括與柔性元件間隔開并且面向柔性元件的層以及被布置在柔性元件與層之間的防粘元件。防粘元件被布置在柔性元件或層上。防粘元件被配置為維持柔性元件與層之間的最小距離。面向柔性元件或層中的另一者的防粘元件的表面的平均表面粗糙度至少是2nm。
3、本公開的一些方面涉及一種半導體器件，其包括柔性元件，該柔性元件被配置為將聲波轉換為柔性元件的位移。半導體器件還包括與柔性元件間隔開并且面向柔性元件的層以及被布置在柔性元件與層之間的防粘元件。防粘元件被布置在柔性元件或層上。防粘元件被配置為維持柔性元件與層之間的最小距離。面向柔性元件或層中的另一者的防粘元件的表面包括凹陷。凹陷的深度至少是10nm。
4、本公開的一些方面涉及一種包括上述半導體器件的mems系統。
5、本公開的一些方面涉及一種方法，該方法包括：在微機電系統的柔性元件或對應層之上形成犧牲層。進一步地，該方法包括：在犧牲層中形成凹陷，該凹陷的底部包括至少2nm的平均表面粗糙度。進一步地，該方法包括：填充凹陷并且覆蓋犧牲層；以及去除犧牲層以形成柔性元件或對應層中的另一者。
6、本公開的一些方面涉及一種方法，該方法包括：在微機電系統的柔性元件或對應層之上形成犧牲層。進一步地，該方法包括：在犧牲層中形成凹陷，該凹陷包括在凹陷中心的突出部分。突出部分的高度至少是10nm。該方法還包括：填充凹陷并且覆蓋犧牲層；以及去除犧牲層以形成柔性元件或對應物中的另一者。
1.一種半導體器件(100a；100b)，包括：
2.一種半導體器件(100a；100b)，包括：
3.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
4.根據權利要求3所述的半導體器件(100；100b)，其中
5.根據權利要求3或4所述的半導體器件(100；100b)，其中
6.根據權利要求1或3至5中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
7.根據權利要求3至6中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
8.根據權利要求3至7中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
9.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
10.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
11.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件(100；100b)，其中
12.一種微機電系統(1100)mems，包括
13.根據權利要求13所述的mems(1100)系統，其中
14.一種方法(800)，包括：
15.一種方法(900)，包括：