本發明涉及蒸鍍掩模、帶框架的蒸鍍掩模、蒸鍍掩模的制造方法、有機器件的制造方法和帶框架的蒸鍍掩模。
背景技術：
1、在智能手機、平板電腦等便攜式設備中使用的顯示裝置優選為高清晰，例如像素密度優選為400ppi以上。另外，在便攜式設備中，對于應對超高清(uhd)的需求也在提高，該情況下，顯示裝置的像素密度例如優選為800ppi以上。
2、在顯示裝置中，由于響應性良好、功耗低及對比度高，作為有機器件的一例的有機el顯示裝置受到關注。作為形成有機el顯示裝置的像素的方法，已知使用蒸鍍掩模以所期望的圖案形成像素的方法，該蒸鍍掩模形成有以所期望的圖案排列的貫通孔。具體而言，首先，在有機el顯示裝置用的蒸鍍基板上組合蒸鍍掩模。接著，使包含有機材料的蒸鍍材料通過蒸鍍掩模的貫通孔而蒸鍍在蒸鍍基板上。由此，能夠以與蒸鍍掩模的貫通孔同樣的圖案作為像素在蒸鍍基板上形成包含蒸鍍材料的蒸鍍層(或有機el顯示裝置的發光層)(例如參照專利文獻1～3)。
3、作為這樣的蒸鍍掩模的制造方法的一例，已知通過使用光刻技術的蝕刻處理在金屬板形成貫通孔的方法。
4、現有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：日本專利第5382259號公報
7、專利文獻2：韓國專利第10-1812772號公報
8、專利文獻3：日本特開2010-116579號公報
技術實現思路
1、發明所要解決的課題
2、本發明的目的在于提供能夠提高精細度的蒸鍍掩模、帶框架的蒸鍍掩模、蒸鍍掩模的制造方法、有機器件的制造方法和帶框架的蒸鍍掩模的制造方法。
3、用于解決課題的手段
4、本發明的蒸鍍掩模具備：掩模基板，其包含硅；掩模層，其具有第1面和位于第1面的相反側且與掩模基板相向的第2面；和貫通孔，其貫通掩模層。掩模基板具有基板開口。在俯視時，貫通孔位于基板開口內。掩模層具有：掩模主體層，其形成第1面；和掩模中間層，其位于掩模主體層與掩模基板之間。掩模主體層包含金屬材料。
5、本發明的帶框架的蒸鍍掩模具備：上述的蒸鍍掩模；和框架，其支撐蒸鍍掩模的掩模基板。
6、本發明的蒸鍍掩模的制造方法具備：基板準備工序，準備包含硅的掩模基板；掩模層形成工序；掩模層形成工序；基板開口形成工序；和貫通孔形成工序。在掩模層形成工序中，在掩模基板形成掩模層，該掩模層具有第1面和位于第1面的相反側且與掩模基板相向的第2面。在基板開口形成工序中，在掩模基板形成基板開口。在貫通孔形成工序中，形成貫通掩模層的貫通孔。在俯視時，貫通孔位于基板開口內。掩模層形成工序具有：掩模中間層形成工序，在掩模基板的與掩模層相向的面形成掩模中間層；和掩模主體層形成工序，在掩模中間層的與掩模基板相反側的面形成掩模主體層。掩模主體層包含金屬材料。
7、本發明的蒸鍍掩模的制造方法具備：基板準備工序，準備包含硅的掩模基板；掩模層形成工序；基板開口形成工序；和掩模層開口形成工序。在掩模層形成工序中，在掩模基板形成掩模層，該掩模層具有第1面和位于第1面的相反側且與掩模基板相向的第2面。在基板開口形成工序中，在掩模基板形成基板開口。在掩模層開口形成工序中，在俯視時沿著基板開口在掩模層形成掩模層開口。掩模層形成工序具有：掩模中間層形成工序，在掩模基板的與掩模層相向的面形成掩模中間層；和掩模主體層形成工序，在掩模中間層的與掩模基板相反側的面形成掩模主體層，并且形成貫通掩模主體層的貫通孔。在掩模層開口形成工序中，掩模層開口形成于掩模中間層。在俯視時，貫通孔位于基板開口內。掩模主體層包含金屬材料。
8、本發明的有機el器件的制造方法具備：蒸鍍掩模準備工序，通過上述的蒸鍍掩模的制造方法準備蒸鍍掩模；密合工序；和蒸鍍工序。在密合工序中，使蒸鍍掩模的金屬層中的第1面與蒸鍍基板密合。在蒸鍍工序中，使蒸鍍材料通過蒸鍍掩模的貫通孔蒸鍍于蒸鍍基板而形成蒸鍍層。
9、本發明的帶框架的蒸鍍掩模的制造方法具備：蒸鍍掩模準備工序，通過上述的蒸鍍掩模的制造方法準備蒸鍍掩模；和框架安裝工序，在蒸鍍掩模的掩模基板上安裝框架。
10、發明的效果
11、根據本發明，能夠提高精細度。
1.一種蒸鍍掩模，其具備：
2.如權利要求1所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模中間層的厚度小于所述掩模主體層的厚度。
3.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模中間層包含基板側層，所述基板側層包含金、鋁、鉻、鎳、鈦、氮化鈦、含釹的鋁合金、氧化硅或二氧化硅，
4.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模中間層包含與所述掩模主體層相向的主體側層和與所述掩模基板相向的基板側層，
5.如權利要求4所述的蒸鍍掩模，其中，所述基板側層包含金、鋁、鉻、鎳、鈦、氮化鈦、含釹的鋁合金、氧化硅或二氧化硅。
6.如權利要求4所述的蒸鍍掩模，其中，所述主體側層包含鈦、銅、鎳或金。
7.如權利要求4所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模中間層包含位于所述基板側層與所述主體側層之間的中間層，
8.如權利要求7所述的蒸鍍掩模，其中，所述中間層包含鈦、氮化鈦、鋁、含釹的鋁合金、氧化硅、二氧化硅、鎳、銅、鉻或金。
9.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模主體層的所述金屬材料為磁性金屬材料。
10.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模基板具有劃定所述基板開口的基板主體，
11.如權利要求10所述的蒸鍍掩模，其中，所述第2面中的所述貫通孔的規定方向的開口尺寸大于所述第1面中的所述貫通孔的所述規定方向的開口尺寸。
12.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模基板具有劃定所述基板開口的基板主體，
13.如權利要求12所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模主體層的與所述掩模基板相向的面中的所述貫通孔的規定方向的開口尺寸大于所述第1面中的所述貫通孔的所述規定方向的開口尺寸。
14.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模層具有2個以上的所述貫通孔，
15.如權利要求14所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模層具有由2個以上的所述貫通孔構成的2個以上的貫通孔組，
16.如權利要求14所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模基板具有2個以上的所述基板開口，
17.如權利要求14所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模基板具有2個以上的所述基板開口，
18.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述基板開口在俯視時形成為矩形狀，
19.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，在所述掩模基板的與所述掩模層相反側的面設置有第1對準標記。
20.如權利要求19所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模基板具有：基板主體，其劃定所述基板開口；和內側突出部，其在俯視時從所述基板主體向內側突出，
21.如權利要求19所述的蒸鍍掩模，其中，在比所述第1對準標記更靠近所述貫通孔的位置設置有第2對準標記。
22.如權利要求21所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模層具有：2個以上的所述貫通孔；2個以上的貫通孔組，其由2個以上的所述貫通孔構成；和掩模橫檔，其設置于彼此相鄰的所述貫通孔組之間，
23.如權利要求22所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模橫檔包含在俯視時沿彼此正交的方向延伸的第1掩模橫檔和第2掩模橫檔，
24.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模主體層包含2個以上的主體島，
25.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模層具有形成所述第1面的掩模絕緣層，
26.如權利要求14所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模層具有由2個以上的所述貫通孔構成的2個以上的貫通孔組，
27.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其中，所述掩模主體層包含虛設主體島，所述虛設主體島位于俯視時不與所述基板開口重疊的位置。
28.一種帶框架的蒸鍍掩模，其具備：
29.一種蒸鍍掩模的制造方法，其具備：
30.如權利要求29所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述貫通孔形成工序中，所述貫通孔通過對所述掩模層照射激光而形成。
31.如權利要求30所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述基板開口形成工序之后進行所述貫通孔形成工序，
32.如權利要求30或31所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述激光為飛秒激光。
33.如權利要求30或31所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述貫通孔形成工序中，所述激光通過與光掩模的所述貫通孔對應的掩模孔照射到所述掩模層。
34.如權利要求33所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述光掩模具有多個所述掩模孔，
35.如權利要求29或30所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模基板具有劃定所述基板開口的基板主體，
36.如權利要求35所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述第2面中的所述貫通孔的規定方向的開口尺寸大于所述第1面中的所述貫通孔的所述規定方向的開口尺寸。
37.如權利要求29或30所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述基板開口形成工序之后，具備掩模層開口形成工序：在俯視時沿著所述基板開口在所述掩模中間層形成掩模層開口，
38.如權利要求37所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模主體層的與所述掩模基板相向的面中的所述貫通孔的規定方向的開口尺寸大于所述第1面中的所述貫通孔的所述規定方向的開口尺寸。
39.一種蒸鍍掩模的制造方法，其具備：
40.如權利要求39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述掩模主體層形成工序中，在所述掩模中間層的與所述掩模基板相反側的面，以與所述貫通孔對應的方式以圖案狀形成有抗蝕劑層。
41.如權利要求39或40所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模主體層的與所述掩模基板相向的面中的所述貫通孔的規定方向的開口尺寸大于所述第1面中的所述貫通孔的所述規定方向的開口尺寸。
42.如權利要求38所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述掩模主體層形成工序中，在所述掩模中間層的與所述掩模基板相反側的面，以與所述貫通孔對應的方式以圖案狀形成有掩模絕緣層，
43.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模主體層的所述金屬材料為磁性金屬材料。
44.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模中間層的厚度小于所述掩模主體層的厚度。
45.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述基板開口形成工序具有：抗蝕劑層形成工序，在所述掩模基板的與所述掩模層相反側的面形成具有抗蝕劑開口的抗蝕劑層；和基板蝕刻工序，通過所述抗蝕劑開口對所述掩模基板進行蝕刻而形成所述基板開口。
46.如權利要求45所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模中間層包含基板側層，所述基板側層包含能夠確保與所述掩模基板的密合性、并且對在所述基板蝕刻工序中使用的蝕刻介質具有耐性的材料。
47.如權利要求46所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模中間層包含與所述掩模主體層相向的主體側層，所述主體側層包含能夠確保與所述掩模主體層的密合性的材料。
48.如權利要求47所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述掩模層形成工序中，所述掩模主體層通過鍍覆處理形成，
49.如權利要求46所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述基板側層與所述掩模主體層相接，并且與所述掩模基板相接。
50.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述掩模層形成工序中，所述掩模中間層通過濺射處理形成。
51.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，在所述掩模層形成工序中，所述掩模中間層通過蒸鍍處理形成。
52.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模層具有2個以上的所述貫通孔，
53.如權利要求52所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模層具有由2個以上的所述貫通孔構成的2個以上的貫通孔組，
54.如權利要求52所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模基板具有2個以上的所述基板開口，
55.如權利要求52所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模基板具有2個以上的所述基板開口，
56.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述基板開口在俯視時形成為矩形狀，
57.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其具備在所述掩模基板的與所述掩模層相反側的面形成第1對準標記的工序。
58.如權利要求57所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模基板具有：基板主體，其劃定所述基板開口；和內側突出部，其在俯視時從所述基板主體向內側突出，
59.如權利要求57所述的蒸鍍掩模的制造方法，其具備在比所述第1對準標記更靠近所述貫通孔的位置形成第2對準標記的工序。
60.如權利要求59所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模層具有：2個以上的所述貫通孔；2個以上的貫通孔組，其由2個以上的所述貫通孔構成；和掩模橫檔，其設置于彼此相鄰的所述貫通孔組之間，
61.如權利要求60所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模橫檔包含在俯視時沿彼此正交的方向延伸的第1掩模橫檔和第2掩模橫檔，
62.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模主體層包含2個以上的主體島，
63.如權利要求39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模層具有由2個以上的所述貫通孔構成的2個以上的貫通孔組，
64.如權利要求29或39所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述掩模主體層包含虛設主體島，所述虛設主體島位于俯視時不與所述基板開口重疊的位置。
65.一種有機器件的制造方法，其具備：
66.一種帶框架的蒸鍍掩模的制造方法，其具備：