本發明屬于電子封裝材料，尤其涉及一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料及其制備方法。
背景技術：
1、在電子封裝材料領域，amb（活性金屬釬焊）陶瓷基板因其優異的導熱性和可靠性，廣泛應用于高功率器件封裝、新能源汽車電控模塊等領域。傳統工藝多采用cu-ag-ti系釬料，需在700-900℃高溫下焊接，雖能形成穩定界面，但高溫易導致陶瓷基板熱應力開裂，成品率不足70%。
2、近年來，為適應薄壁器件（如igbt散熱片）及熱敏感材料（如有機基板）的需求，低溫焊料（如sn-bi合金、納米銀漿）逐漸發展，但其導熱率低（＜50w/m·k）、成本高昂（＞2000元/kg）等問題限制了大規模應用。
3、現有低溫銅基漿料仍需300℃以上高溫，無法徹底避免陶瓷基板熱損傷；且溶劑殘留量＞0.5wt%，導致釬焊界面孔隙率升高（如5.2-8.7%）；批式反應工藝制備的納米銅粉粒徑分布寬（d90＞200nm），易團聚，漿料分散性差。
技術實現思路
1、本發明的目的在于提供一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料及其制備方法，旨在解決背景技術中存在的問題。
2、本發明是這樣實現的，一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，所述amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料包括：
3、核殼結構納米銅合金粉50-65%，所述核殼結構納米銅合金粉選自納米ti、zr、氫化ti/zr中的至少一種，外殼為銅層，銅層厚度5-15nm，粒徑50-200nm；
4、活性金屬（ti/zr）內核表面包覆納米銅層（厚度5-15nm），實現低溫（200-250℃）擴散焊接，同時界面形成cu-ti/zr合金層，耐溫＞1000℃；
5、分散劑1.5-4%，所述分散劑為聚乙烯吡咯烷酮與十二胺按質量比1:0.5-2復配；
6、還原劑0.5-3%，所述還原劑抗壞血酸和水合肼，濃度0.1-0.5mol/l；
7、溶劑余量，為乙酸乙酯與松油醇按體積比1:1-3混合的低溫分解溶劑，沸點≤180℃。
8、本發明提供的一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料及其制備方法，具有以下有益效果：
9、顯著降低焊接溫度：通過核殼結構納米銅合金粉（銅層厚度5-15nm）與低溫溶劑體系的協同作用，焊接溫度降至200-250℃，規避了傳統高溫工藝導致的陶瓷熱損傷問題。
10、提升界面強度與可靠性：釬焊界面形成cu-ti/zr合金層，界面剪切強度達56.3mpa（優于傳統ag-cu-ti釬料的48mpa），且耐1000次熱循環（電阻變化率＜3%）。
11、優化溶劑殘留與界面致密性：乙酸乙酯/松油醇復配溶劑體系分解溫度≤180℃，殘留量＜0.1wt%，界面孔隙率≤1.5%，顯著優于醇醚類溶劑（孔隙率5.2-8.7%）。
12、降低材料成本：核殼銅粉替代貴金屬銀，材料成本僅為低溫銀漿的1/3，同時導熱率提升至320w/m·k（sn-bi焊料僅45w/m·k）。
13、粉體均勻性與工藝穩定性：微反應器連續合成工藝（流速20-80ml/min，ph動態控制8.0-10.0）實現單分散納米銅合金粉（d90≤200nm），粒徑分布窄，漿料粘度穩定（800-1500cp）。
1.一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，其特征在于，所述amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料包括：
2.根據權利要求1所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，其特征在于，所述核殼結構納米銅合金粉中，活性金屬與銅的摩爾比為1:0.2-0.8。
3.根據權利要求1所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，其特征在于，所述溶劑的殘留量＜0.1wt%，界面孔隙率≤1.5%。
4.如權利要求1-3任一所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
5.根據權利要求4所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述微反應器為t型反應器，通道直徑0.5-1.0mm。
6.根據權利要求4所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述球磨工藝參數為球料比3:1-5:1，轉速200-400rpm，混合時間1-3小時。
7.根據權利要求4所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述還原劑為抗壞血酸，濃度0.3-0.5mol/l。